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】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。EPE电子工业专用设备EquipmentforElectronicProductsManufacturing·测试与测量·引线键合工艺介绍及质量检验吕磊(中国电子科技集团公司第四十五研究所,北京东燕郊1016)01摘要:介绍了引线键合工艺流程、键合材料及键合工具,讨论分析了影响引线键合可靠性的主要工艺参数,说明了引线键合质量的评价方法,并提出了增强引线键合可靠性的措施。关键词:引线键合;球形键合;楔形键合;毛细管劈刀;楔形劈刀;键合拉力测试;键合剪切力测试中图分类号:TN307文献标识码:A文章编号:1004-4507(2008)03-0053-08ThProcesseIntroductionandQualitInspectionyofWireBondingLVLei(Th4e5thInstituteofCETCB,eijEastingYanj101iao6Ch01,ina)AbstractThisarticle:introducesthprocessese、materialsandtoolsofwirebonding,thmaineprocessparametersinfluencingonreliatbhmetilitehforodsyqualit,:Ballbonding;Wedgeb;ondingCapillar;WedgeBy;ond;PullTest1引言另一方面朝着轻薄短小的方向发展,对封装工艺圆片研磨、圆片粘贴、引线键合都提出了新的要求。其随着集成电路的发展,先进封装技术不断发展中引线键合是很关键的工艺,键合质量好坏直接关变化以适应各种半导体新工艺和新材料的要求和挑系到整个封装器件的性能和可靠性。本文将对引线键战。半导体封装内部芯片和外部管脚以及芯片之间合工艺展开研究,分析影响键合质量的关键参数,以使的连接起着确立芯片和外部的电气连接、确保芯片引线键合满足封装工艺高质量、高可靠性的要求。和外界之间的输入/输出畅通的重要作用,是整个后道封装过程中的关键。引线键合以工艺实现简单、成2引线键合工艺本低廉、适用多种封装形式而在连接方式中占主导地位,目前所有封装管脚的90以%[1。]引线键合工艺分为3种:热压键合(目前封装形式一方面朝着高性能的方向发展,pressionBonding),超声波键合(UltrasonicBonding)收稿日期:2008-00-(总第158期)53电子工业专用设备EPE·测试与测量·EquipmentforElectronicProductsManufacturing与热压超声波键合(Thermo-sonicBonding)[2~3]。能量下直接焊接到芯片的焊盘上。热压键合是引线在热压头的压力下,(>250℃)金属线发生形变,通过对时间、温度和压力球形键合时将金属线穿过键合机毛细管劈刀的调控进行的键合方法。键合时,被焊接的金属无论(capillar,到达其顶部y,)利用氢氧焰或电气放电系是否加热都需施加一定的压力。金属受压后产生一统产生电火花以熔化金属线在劈刀外的伸出部分,定的塑性变形,而两种金属的原始交界面处几乎接在表面张力作用下熔融金属凝固形成标准的球形近原子力的范围,两种金属原子产生相互扩散,形成(FreeAirBall,FAB),球直径一般是线径的2~3倍,牢固的焊接。紧接着降下劈刀,在适当的压力和定好的时间内将超声波键合不加热(通常是室温),是在施加压金属球压在电极或芯片上。键合过程中,通过劈刀向力的同时,在被焊件之间产生超声频率的弹性振动,金属球施加压力,同时促进引线金属和下面的芯片破坏被焊件之间界面上的氧化层,并产生热量,使两电极金属发生塑性变形和原子间相互扩散,并完成固态金属牢固键合。这种特殊的固相焊接方法可简第一焊点,然后劈刀运动到第二点位置,第二点焊接单地描述为:在焊接开始时,金属材料在摩擦力作用包括楔形键合、扯线和送线,通过劈刀外壁对金属线下发生强烈的塑性流动,为纯净金属表面间的接触施加压力以楔形键合方式完成第二焊点,之后扯线创造了条件。而接头区的温升以及高频振动,又进一使金属线断裂,劈刀升高到合适的高度送线达到要步造成了金属晶格上原子的受激活状态[4。]因此,当求尾线长度,然后劈刀上升到成球的高度。成球的过有共价键性质的金属原子互相接近到以纳米级的距程是通过离子化空气间隙的打火成球(Electronic离时,就有可能通过公共电子形成了原子间的电子Flame-off,EFO过)程实现的。球形键合是一种全方桥,即实现了所谓金属“键合”过程。超声波焊接时不位的工艺(即第二焊点可相对第一焊点36°任意0需加电流、焊剂和焊料,对被焊件的理化性能无影角度)球形键合一般采用直径75μm以下的细金响,也不会形成任何化合物而影响焊接强度,且具有丝,因为其在高温受压状态下容易变形、抗氧化性能焊接参数调节灵活,焊接范围较广等优点。好、成球性好,一般用于焊盘间距大于100μm的情热压超声波键合工艺包括热压键合与超声波键况下。合两种形式的组合。就是在超声波键合的基础上,采球形键合工艺设计原则:(1)焊球的初始直径为用对加热台和劈刀同时加热的方式,加热温度较低金属线直径的2~3倍。(低于Tc温度值,大约150℃),加热增强了金属间倍,焊盘较大时为3~4倍;(2)最终成球尺寸不超过原始交界面的原子相互扩散和分子(原子)间作用焊盘尺寸的3/4,~5倍;(3)线弧力,金属的扩散在整个界面上进行,实现金属线的高高度一般为150μm,取决于金属线直径及具体应质量焊接。热压超声波键合因其可降低加热温度、提用;(4线)弧长度不应超过金属线直径的100倍;(5)高键合强度、有利于器件可靠性而取代热压键合和线弧不允许有垂直方向的下垂和水平方向的摇摆。超声波键合成为引线键合的主流。(wedge)将热、压力、,焊接过程中不引线键合有两种基本形式:球形键合与楔形键出现焊球。楔形键合工艺中,金属线穿过劈刀背面的合[5]。这两种引线键合技术的基本步骤包括:形成第通孔,与水平的被键合表面成30°~6°角0度。在一焊点(通常在芯片表面),形成线弧,最后形成第二劈刀的压力和超声波能量的作用下,金属线和焊盘焊点(通常在引线框架/基板上)。两种键合形式的不金属的纯净表面接触并最终形成连接。楔形键合是同之处在于:球形键合中在每次焊接循环的开始会一种单一方向焊接工艺(即第二焊点必须对准第一形成一个焊球,然后把这个球焊接到焊盘上形成第焊点的方向)。传统的楔形键合仅仅能在线的平行方一焊点,而楔形键合则是将引线在加热加压和超声向上形成焊点,旋转的楔形劈刀能使楔形键合机适5(4总第158期)·测试与测量·合不同角度的焊线,在完成引线操作后移动到第二用工艺的不同分为毛细管劈刀(capillar和楔形劈y)焊点之前劈刀旋转到程序规定的角度。在使用金线刀(wedge)两种(如图2)。毛细管劈刀其材料可以是的情况下,稳定的楔形键合能实现角度小于35°的陶瓷、钨或红宝石。最常用材料是具有精细尺寸晶粒引线键合。楔形键合主要优点是适用于精细间距(如的氧化铝陶瓷,因为其有很好的抗腐蚀性、抗氧化性50μm以下的焊盘间距)低线弧形状,可控制引线长和易于清洁的特点。楔形劈刀其材料取决于所采用度,工艺温度低。常见楔形键合工艺是室温下的铝线的金属线,铝线键合时,通常采用碳化钨或陶瓷材超声波键合,其成本和键合温度较低。而金线采用料;金线键合时,采用碳化钛材料[6]。150℃下的热压超声波键合,其主要优点是键合后键合工具的影响因素有:不需要密闭封装。由于楔形键合形成的焊点小于球形键合,特别适用于微波器件、尤其是大功率器件的封装。但由于键合工具的旋转运动,其总体速度低于热压超声波球形键合,其工艺流程如图1所示。楔形键合工艺设计原则:(1)即使键合点只比金3图2键合工具24(1)键合工具的几何参数直接影响着焊点的形状及键合质量,对于同直径、同材质的金属丝,不同1stBond的焊盘形状、大小及焊盘的间距直接影响着键合工1stSearchLoop具的选择。15(a)以毛细管劈刀(如图3)为例,图中,①为内孔(HoleSi,zH)e,其直径由引线直径决定,引线直径Aoto-Steppac由焊盘的k直径决定。内孔的直径越小,线弧越接近理想形状,如果内孔直径过小则会增大引线与劈刀间96的摩擦导致线弧形状的不稳定;②为壁厚,影响超声87波的传导,过薄的壁厚会对振幅产生影响;③为端面TeilFeed2ndSearch角(FaceAngle,FA和)外半径(OuterRadius,OR)(如图4,)影响第二焊点的形状、键合强度以及线弧形2ndBond&Tear2ndReverse状;④为斜面(Chamfer)和斜面角(ChamferAngle,图1楔形键合工艺流程CA)(如图5),影响第一焊点的形状、键合强度以及线弧形状[7]。属线直径大2~3μm也可能获得高强度连接;(2),引线直径决定楔形劈刀斜孔盘长度要大于键合点的尾丝长度;(3)焊盘的长轴与引线键合路径一致;(4焊盘间距的设)计应保持金属4④③3线之间距离的一致性;(5)线弧不允许有垂直方向的1下垂和水平方向的摇摆。2①②,通过与引线的接触传递超声能,并在静态压力、温度的配合下,实现引线和焊盘的键合。(总第158期)55电子工业专用设备EPE·测试与测量·EquipmentforElectronicProductsManufacturing长的速度。为了提高封装系统得可靠性,有时候考虑使用3N和2N金线。金线主要分为两种:掺杂金线和合金化金线。掺杂金线比4N金线具有更好的机械性能;合金化金线具有更好的强度,但是会损失一OR定的电性能。ORFA需要特别考虑的是焊线工艺的热影响区域FA(Heat-AZffectedone,HAZ的长度,)这个和打火成球SmallerFA-BiggerORBiggerFA-SmallerOR(ElectronicFlame,E-FOoff时产生)的热量导致的金属再结晶过程有关。这个HAZ通常会使线变得脆图4端面角和外半径的影响弱。通常具有长HAZ的金线会使用在高的线弧中。一SmallerCA-SmallerMBDBiggerCA-BiggerMBD些低线弧应用要求使用高强度和低HAZ的金线。低HAZ的金线能提高拱丝能力,能满足更低线弧要求。铜线也能作为一种键合材料使用,这主要是由铜线的成本比金线低得多,而且在线弧歪斜方面也MBDMBD有不错的表现,因此受到很大的关注,并取得了很大CDCD的发展。但是需要对键合设备进行一些改进。改进措CA7°0CA120°施主要包括进行一种气体环境来防止铜在空气中形图5斜面和斜面角的影响成焊球的时候被氧化。另外,铜线键合的主要问题在直径,焊点形状主要由楔形劈刀的前端尺寸决定。焊于键合能力,铜比金和铝的硬度大,这导致了在键合点沿长轴方向有长椭圆形、圆形和窄椭圆形,还有单点容易发生裂痕。金和铜键合的时候都是在一定温度点双点之分,主要取决于楔焊劈刀外形(如图6)。(通常150℃~24℃0)条件下进行热压超声波键合。(2)键合工具的安装。劈刀安装的高度影响劈刀楔形键合能在提升温度的情况下进行金线键合,能在室温下进行铝线键合。大部分在楔形键合中使用的小直径铝线成份中含有1%S,这样i能增强铝线的强度。铝线键合对于一些场合的应用比较有吸引力,因为它在室温下进行键合,并且没有可能导致可靠性问题的金铝扩散层。引线直径的大小对焊点的可靠性和线弧有着很密切的关系。目前生产上使图6楔形键合点型区分用的线径在20~75μm之间。一般来说,线径越小,尖部超声波的谐振,进而影响键合质量。应用适当的弧高和间距理论上也就能控制的越小。但是线径小力矩来固定键合工具,过大会使换能器的末端变形,了,容易造成线弧歪斜,严重时会导致短路。过小则造成键合点的位置偏移及超声能的传递效率降低。%键合温度指的是外部提供的温度,键合工艺对度的金线,这个通常指4N金线。为了满足一些特殊温度有较高的控制要求。工艺中更注意实际温度的的应用要求,例如高强度,有时候也使用合金线变化对键合强度的影响。过高的温度不仅会产生过(%的纯度)。研究表明某一些掺杂物多的氧化物影响键合质量,并且由于热应力应变的(金线里的其他物质)能降低金和铝的界面层扩散成影响,键合头零部件和器件的可靠性也随之下降。温56(总第158期)·测试与测量·度过低将无法去除金属表面氧化膜层等杂质,无法的3/4,厚度适中且焊球与线弧过渡平滑;第二焊点促进金属原子间的密切接触。孟艳[8]通过实验研究即楔形键合(如图8)外观要求:外形对称、厚度为金了静压力对超声键合过程瞬态温度特性的影响,为线直径的3~4倍,焊接面与线弧过渡平滑;线弧不键合工艺参数优化和引线键合过程的在线质量检测允许有垂直方向的下垂和水平方向的摇摆;点型及提供了技术依据。线弧一致性要好。,并且键合点不同,键合时间也不一样。一般来说,键合时间越长,金3/5h属球吸收的能量越多,键合点的直径就越大,界面强度增加而颈部强度降低。但是过长的时间,会使键合2/5h点尺寸过大,超出焊盘边界并且导致空洞生成概率增大。Murali等人[9发现]~5WD再结晶,导致颈部强度降低,增大了颈部断裂的可图7球形键合第一焊点能,因此合适的键合时间显得尤为重要。,因为它对金属球的变形起主导作用。过小的功率会导致焊点过小、未成形或尾丝翘起;过大的功率导致根部断3~4WD3~4WD裂、键合塌陷或焊盘破裂。Jeon[10]研究发现超声波的水平振动是导致焊盘破裂的最大原因。超声功率和键合压力是相互关联的参数。增大超声功率通常需图8球形键合第二焊点要增大键合压力使超声能量通过键合工具更多的传两焊点外观要求如图9所示,斜线部分表示键递到键合点处,但Roone等人y[11]发现过大的键合压合区(金属线上劈刀压痕),W表示键合区宽度,L表力会阻碍键合工具的运动,抑制超声能量的传导,导示键合区长度。一般情况下,焊点沿长轴方向为椭圆致污染物和氧化物被推到了键合区域的中心,形成形或圆形,~3中心未键合区域。倍;~5倍;键合区厚度一般为金属线直径的1/左右;焊3接面与4键合质量评价线弧过渡平滑;第一焊点线尾一致要好(如图10);线弧不允许有垂直方向的下垂和水平方向的摇摆;。,通过显微镜观测焊点外形可初步判断,键合质量的优劣。由于键合完成后,不可能对每颗引线都进行拉推力破坏试验,这就使得镜检工作非常重要,防止不良品进入下一道工序。(如图7的)外观要求:~5倍,(总第158期)57电子工业专用设备EPE·测试与测量·EquipmentforElectronicProductsManufacturing金属线剪切工具球形肩部键合区焊盘3μm~5μm图12键合推力试验图10楔形键合线尾一致性MBD键合质量的好坏往往通过破坏性实验判定。通常使用键合拉力测试(BondPullTest,BPT)(如图11)、键合剪切力测试(BallShearTest,BST)(如图12)。影响BPT结果的因素除了工艺参数以外,还有键合材料(材质、直径、强度和刚度)、焊盘材质、吊钩位置、弧线高度等。除了确认BPT的拉力值外,还需确认引线断裂的位置。主要有5个位置:(1)第一焊BCD点界面;(2)第一焊点颈部;(3)线弧中间;(4)第二焊点颈部;(5)第二焊点界面。其中要求断点不能在(1)图13截面球直径和(5)2个位置。BST是通过水平推键合点的引线,测推拉力试验可能会因为焊接器件中芯片不同、得引线和焊盘分离的最小推力,一般应用在球形键试验环境不同或人为原因出现偏差。对于球形键合,合第一焊点中。键合剪切力公式为:F=R/BSSBSR芯片焊盘与焊球间是否出现金属间原子扩散形成的(πD2/4),中其F为剪切力(BallShearStress);RBCDBSSBSR化合物,是键合质量的最根本判据。在高质量键合的为剪切读数(BallShearReading);D为截面球直径BCD情况下,采用镊子或专用工具水平推去键合点焊球,(BallContactDiameter)(如图13)。剪切力测试可能并在高倍显微镜下观察焊球与芯片电极焊盘结合表会因为测试环境不同或人为原因出现偏差L,iang等面应存在“残金”,并且有刮不干净的现象,如图14人[12介绍]了一种简化判断球剪切力的方法,提出简所示,可以看出电极与焊球融合的情况良好,电极与化键合参数(RBP)的概念,即RBP=po×wforceerA-焊球结合为一体,抗外力破坏能力强。B×time,其C中A,B,C为调整参数,,,。(总第158期)·测试与测量·球形键合第二焊点为楔形键合,,在封装应力的作用下,、脱键现象。为了提高器件的可靠性,影响第一键合点可靠性的因素有很多,在诸多工艺中经常采用加固的方法。图17为未做加固处理因素中,焊球与金属线的直径比对第一焊点的键合的第二焊点;图18为经过金属球加固的第二焊点,质量影响最大、最为直观,起着决定性的作用。通过一般为自动机台所采用;第二焊点也有用银浆加固调整键合工艺参数,即超声波功率和压力、时间、温方法,一般以手工作业为主。这两种加固方法,都可度等,~5倍的以提高第二焊点的可靠性,尤其经过金属球加固的要求,并使焊球与芯片电极达到共融的理想结果,其第二焊点,其可靠性将有很大提升,在要求高质量引键合点侧向截面如图15所示。为使焊球与金属线的线键合的生产线中应用普遍。~5倍的要求,金属线直径的选择须考虑芯片电极的大小,,。图16为较粗金属线与较小芯片电极键合的失配情况,为提高键合质量采用加粗金属丝,但因焊球与金属线的直径比不能达到要求,使其可靠性反而不如一般未加粗情况的键合状态[1。3],加固方法也一样,都可以用银浆加固方法。不过楔形键合一般都图16球形键合焊球较小是利用调整工艺参数,即超声波功率和压力、时间、(总第158期)59电子工业专用设备EPE·测试与测量·EquipmentforElectronicProductsManufacturing温度等,改善键合材料及焊盘材质,使电极与焊点共子工业专用设备,200,356(3):55-6。0融,达到要求焊点形状。[5][J],200,6(67):16-206结束语[6][J],2003,(3):65-67。[7],在未析[J]半导体技术.,200,316(11):828-。832来相当长一段时间仍将是封装内部连接的主流方[8][J]。随着封装尺寸的减小新,材料、新封装形式的应工程,2005,5(10):673-67。5用,对于引线键合工艺的可靠性及稳定性提出了更[9]MuralS,SrlkNant,。andslipbandsobserintvhedermocopper-sonicballbond-在引线键合中,影响键合可靠性的因素很多,解ing[J].Materialscharacteri,2003,50(z10ation):39-。50决方法主要通过选择合适的键合方式及设备,调整[10J]-最优工艺参数,应用正确的引线键合质量评价方式alpeeling,B:Numericalanalysis[J].Microelectronicsreli-及合理的提高引线键合可靠性措施。abilit,2003,4y(312):2055-。2064[11R]ooneDT,yNagerDP,:bondingperformance,processconditions,andmetallur-gicalintegritofchonipbyoardwirebonds[J].Microelec[1][J],2005bilit,4(52):3y79-。390设备,200,334(10):12-。14[12L]IANGZN,KUPEFRG,[2]晁宇晴,杨兆建,[J]-技术,200,287(4):205-。210bilit[J],1998bilit,38(6):y[3][J],1287-。1291200,254(2):84-85[13蔡伟智].发光二极管引线键合可靠性探讨[J],[4][J],(74):34-。36!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!(上接第5页)*公司痛下决心,搞产品创新,以创新求生存,发展,产品每类在国内同行业领先,营业规模和经在封装搞到一定规模时,延伸到搞芯片制造、设备济效益均领先同行业。仪器等多元化发展。公司的使命是:为客户提供最好的品质、最短*FBP平面凸点封装原创性发明,有29项自的交期、最具竞争力的成本及全方位的服务。主知识产权的专利,其中发明专利有19项。在国外公司的经验是:申请专利,打破了国外的垄断。可应用于300mm、技术+市场:科技创新是主战场,企业发展的50nm产品的封装,可进行WLCSP封装。重布线工原动力;艺和多层薄膜工艺已应用到超大规模集成电路的技术+资本:科技创新的助推器,企业发展的封装。在微型片式元器件设计和SI封装P研发上取生命力;得了较好的成绩。技术+制度:科技创新的催化剂,企业发展的*公司拥有3个厂区,建有超净厂房面积15创造力;万m2,可年产100~125mm分立器件芯片100万技术+人才:科技创新的支撑点,企业发展的片;年产IC产品75亿块和生产250亿支分立器件暴发力;的规模。技术+文化:科技创新的加油站,企业发展的*公司近5年来,每年均以30左右%的水平在持久力。6(0总第158期)

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