文档介绍：创毅芯片、产品及应用介绍
Agenda
1. 创毅芯片介绍
芯片路标
P4 功能亮点TM8
2. 创毅终端介绍
终端路标
终端产品技术参数简介
3. TD-LTE应用场景分析
MIFI 应用
CPE/TDFi 应用
车载终端应用
政府、校园视频监控
公安、消防应用
交警应用
即摄即传直播
移动视频会议
远程医疗
-LTE芯片发展路标
AP+BB
LTE-A 基带+应用融合
LTE/TDS/GGE LTE单模演进
多模芯片 Warp
FDD/TDD-LTE Warp Drive
7000
芯片共模 Warp Drive
Drive 8000
Warp 6000 • 3GPP R9
• 3GPP R10
Drive P3A • TDD/FDD LTE + TD-
TD-LTE 5000 • 3GPP R9 • Two carrier Carrier- SCDMA + GGE
单模芯片• TDD/FDDP3A LTE/TDS/GGE Aggregation • TD-HSPA+
• 3GPP R9 • BW 3/5/10/15/20M • UE access any • DC-HSPA+
aggregated carrier
• TDD/FDD LTE • Flexible UL/DL frame • Security Application
P3A • BW 3/5/10/15/20M configurations • Configurable carriers • 28nm
• Flexible UL/DL frame • Flexible Special Sub • DL 8x2/UL2x8
antenna
configurations frame configuration
• CoMP
• 3GPP R8 • Flexible Special Sub • TM 1/2/3/4/7/8
• TD-LTE frame configuration • 2×2, 4×2MIMO • Heterogeneous
Networks
• BW 20M • TM 1/2/3/4/7/8 • UL/DL 50M/150Mbps
• patible
• TM 1/2/3/4 • 2×2, 4×2MIMO • Inter/Intra Freq HO
• 28nm
• 2×2MIMO • UL/DL 50M/150Mbps • Idle/connected DRX
• 11*11 BGA
• UL/DL • Inter/Intra Freq HO • OTDOA
50M/100Mbps • Idle/connected DRX • IPV4/IPV6
• TD-LTE Inter/Intra • IPV4/IPV6 • ZUC
HO
• 40nm •优化干扰
• IPV4/IPV6
• 13*13 BGA • 40nm
• 65nm
• 13*13 BGA
• 14*14 BGA
2010 Q3 2011 Q3 2012 Q4 2013 Q1 2014 Q4
•3
-1 TM8 双流波束赋形
SU-MIMO
•TM8 双流波束赋形
•吞吐量
•提升小区边缘吞吐量
•提升多用户吞吐量
•网络质量
•提升信噪比
•提升空口质量
•干扰消除
MU-MIMO
•降低多用户干扰
•消除小区间干扰
•网络性能
•提升网络容量
•提高网络覆盖
4
-2TM8测试结果--室内信道仿真器
5
-3 TM8测试结果—外场
6
-4边缘吞吐量提升约70%
在小区边缘如中低速度,SNR= 0dB的点, TM8,TM3其边缘吞吐量分别约为:
8Mbps,,边缘吞吐量提升约70%。
中低速 SNR=0dB 小区边缘吞吐量(Mbps)
9
8
7
6
吞 5
吐
量 4
3
2
1
0
TM3 TM8
传输模式
7
-5 TM8多用户增益
小区边缘每个用户调