0704电导和霍耳效应.pptx

文档介绍：平均漂移速度和外场的关系——空穴和电子的迁移率欧姆定律电导率电流密度载流子漂移运动——是电场加速和半导体中散射的结果散射来自于晶格振动和杂质——温度较高时,晶格振动对载流子的散射是主要的——温度较低时,杂质的散射是主要的——迁移率一方面决定于有效质量______加速作用另一方面决定于散射几率电导率杂质激发的范围,主要是一种载流子掺杂不同的Ge半导体——导电率随温度变化低温范围杂质激发的载流子起主要作用——载流子的数目与掺杂的情况有关2)高温范围,本征激发的载流子起主要作用——载流子的数目与掺杂的情况无关3)中间温度区间温度升高时,导电率反而下降——晶格散射作用2半导体的霍耳效应半导体片置于xy平面内——电流沿x方向——磁场垂直于半导体片空穴导电P型半导体——载流子受到洛伦兹力半导体片两端形成正负电荷的积累,产生静电场达到稳恒,满足电流密度电场强度——霍耳系数——电子导电的N半导体电场强度——霍耳系数——半导体的霍耳系数与载流子浓度成反比——半导体的霍耳效应比金属强得多——测量霍耳系数可以直接测得载流子浓度——确定载流子的种类霍耳系数为正——空穴导电霍耳系数为负——电子导电——霍耳系数——霍耳系数——将电导和载流子浓度的测量结果与理论计算结果比较获得带隙宽度,杂质电离能和杂质浓度等信息