文档介绍：北航基础物理实验研究性报告
各向异性磁阻传感器（AMR）与地磁场测量
第一作者： 13271138 卢
第二作者： 13271127 士杰
所在院系： 化学与环境学院
2014年5月27日星期三
摘要
物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应，磁阻传感器利用磁阻效应制成。
磁场的测量可利用电磁感应，霍耳效应，磁阻效应等各种效应。其中磁阻效应法发展最快，测量灵敏度最高。磁阻传感器可用于直接测量磁场或磁场变化，如弱磁场测量，地磁场测量，各种导航系统中的罗盘，计算机中的磁盘驱动器，各种磁卡机等等。也可通过磁场变化测量其它物理量，如利用磁阻效应已制成各种位移、角度、转速传感器，各种接近开关，隔离开关，广泛用于汽车，家电及各类需要自动检测与控制的领域。
磁阻元件的发展经历了半导体磁阻（MR），各向异性磁阻（AMR），巨磁阻（GMR），庞磁阻（CMR）等阶段。本实验研究AMR的特性并利用它对磁场进行测量。
关键词：磁阻传感器；磁电转换；赫姆霍兹线圈；车辆检测；罗盘
目录
一、实验目的 4
二、实验原理 4
三、实验仪器介绍 6
四、实验容 8
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8
9
9
a. 赫姆霍兹线圈轴线上的磁场分布测量 9
b．赫姆霍兹线圈空间磁场分布测量 11
4．地磁场测量 12
五、实验数据及数据处理 13
13
13
b．测量磁阻传感器的各向异性特性 14
2．赫姆霍兹线圈的磁场分布测量 15
a．赫姆霍兹线圈轴线上的磁场分布测量 15
b．赫姆霍兹线圈空间磁场分布测量 16
3．地磁场测量 17
六、误差分析与思考题 17
1、误差分析 17
2、思考题 18
七、实验中注意事项及改进方法 19
1、注意事项 19
2、实验改进 19
八、总结与收获 20
九、原始数据照片 20
一、实验目的
熟悉和了解AMR的原理
测量磁阻传感器的磁电转换特性和各向异性特性
测量赫姆霍兹线圈的磁场分布
测量地磁场磁场强度，磁倾角，磁偏角
二、实验原理
各向异性磁阻传感器AMR（Anisotropic Magneto-Resistive sensors）由沉积在硅片上的坡莫合金（Ni80 Fe20）薄膜形成电阻。沉积时外加磁场，形成易磁化轴方向。铁磁材料的电阻与电流和磁化方向的夹角有关，电流与磁化方向平行时电阻Rmax最大，电流与磁化方向垂直时电阻Rmin最小，电流与磁化方向成θ角时，电阻可表示为：
R = Rmin＋(Rmax－Rmin)cos2θ
在磁阻传感器中，为了消除温度等外界因素对输出的影响，由4个相同的磁阻元件构成惠斯通电桥，结构如图1所示。图1中，易磁化轴方向与电流方向的夹角为45度。理论分析与实验表明，采用45度偏置磁场，当沿与易磁化轴垂直的方向施加外磁场，且外磁场强度不太大时，电桥输出与外加磁场强度成线性关系。
无外加磁场或外加磁场方向与易磁化轴方向平行时，磁化方向即易磁化轴方向，电桥的4个桥臂电阻阻值相同，输出为零。当在磁敏感方向施加如图1所示方向的磁场时，合成磁化方向将在易磁化方向的基础上逆时针旋转。结果使左上和右下桥臂电流与磁化方向的夹角增大，电阻减小ΔR；右上与左下桥臂电流与磁化方向的夹角减小，电阻增大ΔR。通过对电桥的分析可知，此时输出电压可表示为：
U＝Vb×ΔR/R （1）
式中Vb为电桥工作电压，R为桥臂电阻，ΔR/R为磁阻阻值的相对变化率，与外加磁场强度成正比，故AMR磁阻传感器输出电压与磁场强度成正比，可利用磁阻传感器测量磁场。
商品磁阻传感器已制成集成电路，除图1所示的电源输入端和信号输出端外，还有复位/反向置位端、补偿端两个功能性输入端口，以确保磁阻传感器的正常工作。
复位/反向置位端的作用是：当AMR置于超过其线性工作围的磁场中时，磁干扰可能导致磁畴排列紊乱，改变传感器的输出特性。此时按下复位/反向置位端，通过部电路沿易磁化轴方向产生强磁场，使磁畴重新沿易磁化轴方向整齐排列，恢复传感器的使用特性。
补偿端的作用是：当4个桥臂电阻不严格相等，或是外界磁场干扰，使得被测磁场为零而输出电压不为零时，此时可调节补偿电流，通过部电路在磁敏感方向产生磁场，用人为的磁场偏置补偿传感器的偏离。
三、实验仪器介绍
磁阻传感