文档介绍：磁阻传感器和地磁场的测量
实验目的
掌握磁阻传感器的特性。
拿握地磁场的测量方法。
实验原理
物质在磁场中电阻率发生变化的现彖称为磁阴效应。对于铁、钻、银及其合金等磁性金属，当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时，电阻几乎不随外加磁场变化：当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时，此类金属的电阻减小，这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。
HMC1021Z型磁阻传感器由长而薄的坡莫合金（铁银合金）制成一维磁阻微电路集成芯片（二维和三维磁阻传感器可以测量二维或三维磁场）。它利用通常的半导体工艺，将铁银合金薄膵附着在硅片上，如图6 81所示。薄膜的电阻率"（&）依赖于磁化强度M和电流I方向
间的夹角& ,具有以下关系式°（&） = Q丄+ （卩〃一 °丄）COS2 &
其中P”、P丄分别是电流I平行于M和垂直于M肘的电阻率。肖沿着铁银合金带的长度方向通以一定的直流电流，而垂直于电流方向施加一个外界磁场时，合金带自身的阻值会生较人的变化，利用合金带阻值这一变化，町以测屋磁场人小和方向。同时制作时还在硅片上设计了两条铝制电流带，一条是置位与复位带，该传感器遇到强磁场感应时，将产生磁畴饱和现象，也町以用来置位或复位极性；另一条是偏置磁场带，用于产生一个偏置磁场，补偿环境磁场中的弱磁场部分（当外加磁场较弱时，磁阻相对变化值与磁感应强度成平方关系）, 使磁阻传感器输出显示线性关系。
HMC1021Z {。传感器由四条铁線合金磁电阻组成一个非平衡电桥，非半衡电桥输出部分接集成运算放大器, 将信号放人输出。传感器内部结构如图6-8-2所示，图中由于适当配置的四个磁电阻电流方向不相同，当存在外界碗场时，引起电阻值变化有增有减。因而输出电压11站可以用下式
表示为口创
偏电礁场
玻莫合金薄膜
牟加砒场
磁阴传感器的构造示意图
磁阻传感器内的惠斯通电桥
对于一定的工作电压，如乂 =, HMC1021Z磁阻传感器输出电压U咖与外界磁场的
磁感应强度成正比关系，Uout =U0+KB
上式中，K为传感器的灵敏度，B为待测磁感应强度。U。为外加磁场为冬时传感器的输出量。
由于亥姆霍兹线圈的特必是能在其轴线中心点附近产生较宽范闱的均匀磁场区，所以常用作弱磁场的标准磁场。亥姆霍兹线圈公共轴线中心点位置的磁感应强度为： B= 8 =4496x1o_4j
R 5312
上式中N为线圈匝数（500匝）：亥姆霍玆线圈的平均半径R = 10an :真空磁导率
& =4^xlO~7N/A^o
实验步骤
1、将磁阻传感器放置在亥姆霍兹线圈公共轴线中点，并使管脚和磁感应强度方向平行。即传感器的感应面与亥姆霍兹线圈轴线垂直。用亥姆霜兹线圈产生磁场作为已知最，测最磁阻传感器的灵敏度K。
2、将磁阻传感器平行固定在转盘上，调整转盘至水平（町用水准器指示）。水平旋转转盘, 找到传感器输出电斥最人方向，这个方向就是地磁场磁感应强度的水平分最B”的方向。记录此时传感器输出电压U]后，再旋转转盘，记录传感器输出敲小电压U?，由 |U]-U2|/2 = KB“，求得当地地磁场水平分量£〃＜=
3、将带冇磁阻传感