薄膜工艺工程师研发工程师简历模板.doc

文档介绍：个人简历
个人资料
姓 名：xxx
性 别：男
(可以贴照片)
出生日期：1982年3月1日
学 历：大专
毕业院校：兰州大学
专 业：半导体器件与微电子
工作经验：三年以上
职 称：
个人简历
个人资料
姓 名：xxx
性 别：男
(可以贴照片)
出生日期：1982年3月1日
学 历：大专
毕业院校：兰州大学
专 业：半导体器件与微电子
工作经验：三年以上
职 称：助理工程师
申请职位：薄膜工艺工程师 研发工程师
联系方式：
(手机)
******@h o (邮件 & MSN)
求职意向
求职意向： 薄膜工艺工程师 研发工程师
求职地点： 无锡 南京 苏州
工作经验：三年以上
工资规定：3500以上
工作性质：全职
教育培训
.9--.7兰州大学 半导体器件与微电子学 本科
9月至7月 就读于兰州大学物理与科学技术学院微电子学专业
.5--.7 培训单位： 天合半导体公司 培训内容：iso9001认证
—--6 培训单位：核芯电子公司 培训内容：5s现场管理
工作经验
07月— 03月 ： 天水天光半导体公司(原国营八七一厂)
【单位性质】：合资
【所任职位】： 工程部/工艺工程师
【职责描述】：07月－－4月担任天水天光半导体有限公司（国营八七一厂）、3120溅射台，mark50蒸发台，varian3125蒸发台，ebx蒸发台等旳工艺改善及保障工作和新产品旳开发和工艺、幅员设计，并纯熟掌握肖特基生产线薄膜制备工艺。4月-6月改善了varian3180溅射台溅射工艺，，目前该设备已生产肖特基产品40000多片，并保持稳定运营。8月-10月改善了肖特基产品合金工艺，提高了芯片均匀性。
项目经验
.11—.3:开发低速（50-100 ns）和高速（不不小于10 ns）开关二极管
项目描述：开发了低速（50-100 ns）和高速（不不小于10 ns）开关二极管，经日本专家鉴定，，目前已为天水天光半导体公司获利100多万元。
--.10:开发大电流高电压肖特基二极管
项目描述：开发了大电流、高电压肖特基5a150v、200v，10a150v、200v产品，弥补了该公司在大电流