文档介绍：AAS 中的几种特殊技术 1. 背景校正技术 AAS 仪中已有氘灯和碘钨灯连续光源背景校正、塞曼效应背景校正和空心阴极灯强脉冲自吸背景校正等方法。其中塞曼效应校正背景还衍生出几种不同的磁场调制与排列方式。以下介绍各种背景方法要点。 连续光源背景校正:这是现代 AAS 仪中应用最广泛的一种 AAS 仪器背景校正方法,尤其在 FAAS 中,它占有相当重要地位。其原理为:用待测元素 HCL 的辐射作样品光束,测量总的吸收信号, 用连续光源( 多用是氘灯) 的辐射作参比光束, 在同一波长下测量吸收值。对连续背景,它对 HCL 和连续光源辐射有相同的吸收,待测原子对连续光源也有吸收,但由于元素分析线很窄, 不到通带宽度的 1% , 故可以忽略, 连续光源所测值可视为纯背景吸收, 光辐射交替通过原子化器, 两次所测吸光值相减使背景得到校正。在实际使用时, 要求精心调配使氘灯连续光源和 HCL 锐线光源强度匹配, 并尽可能使光斑重合一致。近年, Jen a 公司通过设计氘空心阴极灯的几何形状和成象光学部件, 使两种辐射光束穿过完全相同的吸收体积, 有效地避免了因双灯源的采用, 而带来的光学平衡问题。由于氘灯在长波范围(大于 ) 内能量较低, 要与碘钨灯配合适用。该法应用波段有限制, 有时还产生背景校正过度或不足。如果共存物的原子对通过单色器的连续辐射产生吸收, 会出现补偿过度现象。连续光源背景校对 FAAS 较好,对 GFAAS 效应不佳。 自吸效应背景校正: 自吸效应背景校正法, 又称 S-H 法, 其原理: 以低电流脉冲供电。空心阴极灯发射锐线光谱, 测的原子吸收与背景吸收的总吸光度, 以短时高电流脉冲供电发射线产生自吸效应,辐射能量由于自吸变宽而几种与原波长的两侧。不为原子蒸气所吸收, 所测为背景吸收值。将两值相减得到校正后的原子吸收值。这种方法是简单和成本低, 能校正某些结构背景与原子谱线重叠干扰, 无光能损失, 可以进行全波长校正但许多元素不能产生自吸,两种脉冲电流下 HCL 谱线宽度有差别,校正不够精确,有些元素如 Al、 Ca 、 Sr、 Ba 、V 等其灵敏度降低,检出限变差,强脉冲电流影响 HCL 的寿命,该法仅适用于 FAA S 法。对 GFAAS 法效果不明显,基本上作为其他校正法的补充。 塞曼效应背景校正:这种背景校正的基础是:吸收线在磁场作用下,产生分裂成平行磁场π组分和垂直于磁场α+、α- 组分。偏振组分α+、α- 有中心波长位移,若频移足够大时, 不为待测物所吸收, 测量的只是背景吸收, 若恒定磁场调制方式,π组分和背景吸收所测吸光值为原子吸收于背景吸收的总吸收值。若是交变磁场调制方式,当磁场关闭时,吸收相不发生分裂。所测吸光值为原子吸收于背景吸收的总值。将两种测定值相减( 即原子吸收与背景吸收总值减去背景吸收值) 可以使背景得到校正。目前商品仪器有两大类: 恒定磁场( 固定磁场) 和交变磁场, 可配置于光源上或原子化器。近年来, 以配置在 GFAAS 较多, 火焰应用较少。恒定磁场往往塞曼效应谱线分裂不完整, 而降低测量的准确性。同时仪器灵