文档介绍：1、__GTR 存在二次击穿现象,___IGBT 存在擎住现象。
2、功率因数由 和 电流波形畸变 这两个因素共
同决定的。
3、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是 均压措施。
4、 同一晶闸管,维持电流I与掣住电流I在1、__GTR 存在二次击穿现象,___IGBT 存在擎住现象。
2、功率因数由 和 电流波形畸变 这两个因素共
同决定的。
3、晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值的电阻R是 均压措施。
4、 同一晶闸管,维持电流I与掣住电流I在数值大小上有I为2~4倍I。
H L L H
5、电力变换通常可分为:交流变直流、直流变交流、 交流变交流和直流变直流。
6、 在下图中,___V1__和___VD1__构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第
1象限;V2和VD2—构成升压斩波电路,把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源,使电动机作再生制动运行,工作于第2 象限。
1、 请在正确的空格内标出下面元件的简称:
电力晶体管GTR;可关断晶闸管 ;功率场效应晶体管—
MOSFET ;绝缘栅双极型晶体管 ;IGBT
是MOSFET和GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要
高 和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流 的问题,解决的方法是串专用电抗。
4、 在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输岀电流波形为方波。
5、 三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个开关管间进行,称为__180__°导电型
6、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加 、正反向漏电流会下降。
1、由波形系数可知,
(AV),如果It(av)=1°°安培,则它允许的有效电流为157安培。〜2 倍的裕量。
2、 三相桥式全控整流电路是由一组共—极三只晶闸管和一组共—极的
三只晶闸管串联后构成的,晶闸管的换相是在同一组内的元件进行的。每
隔60度换一次相,在电流连续时每只晶闸管导通120度。要使电路工作正常,必须任何时刻要有2只晶闸管同时导通,一个是共阴极的,另一个是共极的元件,且要求不是同一桥臂的两个元件。
3、 为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电
路种类很多,但归纳起来可分为零电压 与零电流 两大类。
4、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角 、增加整流相
数 、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容 几种。
5、 三相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相范围0-150°,三
相全控桥电阻性负载时,电路的移相范围0-120° ,三相半控桥电阻性
负载时,电路的移相范围 。
1、 晶闸管是硅晶体闸流管的简称,常用的外形有 与平板
型 。
2、 选用晶闸管的额定电流时,根据实际最大电流计算后至少还要乘以_
〜2 。
3、 晶闸管的导通条件是晶闸管承受正向电压且门极有触发电
流 。
4、 晶闸管的断态不重复峰值电压UDSm与转折电压UBO在数值大小上应为UDSm
小于叫。。P21
5、 从晶闸管的伏安特性曲线可知,晶闸管具有
的特性。
6、 把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为触发角或控制角。
7、 触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法,目前采用较多的是
双窄脉冲触触发方法。
8、 三相半波可控整流电路,是三相可控整流电路最基本的组成形式。
9、 在三相半波可控整流电路中,电感性负载,当控制角 时,输出电压波形出现负值,因而常加续流二极管。
10、 三相桥式整流电路中,当控制角尸300时,则在对应的线电压波形上触发
脉冲距波形原点为 90° 。
11、 考虑变压器漏抗的可控整流电路中,如与不考虑漏抗的相比,则使输出电
压平均值降低。
12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回 的逆变电路。
13、 有源逆变产生的条件之一是:变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必
须保证与直流电源电势Ed的极性成 相连,且满足IUdlvlEdl。
14、 为了防止因逆变角0过小而造成逆变失败,一般0min应取30°
〜35° ,以保证逆变时能正常换相。
15、 载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。设正弦调制波的频率为fr,三角
波的频率为f,则载波比表达式为K=fc/fr 。
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16、抑制过电压的方法之一是用阻容电路 吸收可能产生过电压的能量,并用电阻将其消耗。
17、斩波器的时间比控制方式分为脉冲宽度调制、频率调制 、混合
调制 三种方式。
1、晶闸管的内部结构具有