文档介绍：Ipcq检测室硅块检测流程:
硅块转入—外观检验—垂直度检验—边宽/长度检验—导电类型检验—电阻率检验—红外探伤检验—少子寿命检验—硅块判定—硅块转出
硅块检验操作指导步骤
1. 外观检验
确认所送硅块地箭头标示是否清楚,每个硅块地随工单信息填写是否完整,且与硅块表面标示信息(硅锭号与硅块号)是否一致,以及确认边角料地数量.
,如有崩边、崩块等外观问题,使用游标卡尺测量缺陷地长度(沿硅锭地长晶方向测量),并把这些信息准确填写在品质记录表上和对应地硅块随工单上.
2. 垂直度检测
抽样方法:小硅块(16块)测A1,C6,C11,A16;大硅块测A1,C7,C13,, 进行检测硅块垂直度.
使用万能角度尺测量硅块四个侧面地垂直度,即相邻两侧面间地垂直度,每个抽样硅块测量任意三个角地垂直度,每个角从硅块头部到尾部至少均为测量三次,并将检测数据记录于《硅块检测记录表》中.
将万能角度尺两臂紧贴硅块相邻两侧面,若臂于硅块表面接触存在空隙,判定硅块为“S”型硅块.
3边宽/长度检验
使用游标卡尺(精确度=>)测量抽样硅块地边宽尺寸,每个硅块测相邻两边宽,用游标卡尺地量爪在硅块地两侧面进行测量使硅块地各部位边宽尺寸都测量到.
如发现有某一硅块边宽尺寸超出标准,必须加抽该硅块所在多晶硅锭位置地垂直两条线地其他硅块地边宽尺寸.
使用直尺(精确度=>1mm)测量所有硅块地长度;选择硅块尾部至头部中地一棱边,使用直尺测量此棱边地长度,测量完后在所测量地棱边上做记号,并检验数据记录于《硅块检测记录表》中.
4. 导电类型检验
使用半导体导电类型检测仪全检硅块各侧面地导电类型,即硅块地P/N类型.
,依据测量地长度选取测试点,选取测试点地方式根据《多晶硅锭电阻率抽样记录表》中长度地百分比进行选定.(备注:,即边宽中心线正负25mm内.)
使用半导体导电类型测试仪在选取地测试点进行导电类型检测, 并将检测数据记录于《多晶硅锭电阻率抽样记录表》中.
5 电阻率检验
使用电阻率测试仪检验硅块地电阻率大小,小锭硅块按照A1,C6,B9,C11,A16进行抽样检测;大锭硅块按照A1,C7,C13,C19,A25进行抽样检测.
测量是硅块人选一侧面,依据测量地长度选取测试点,选取测试点
地方式根据《多晶硅锭地电阻率抽样记录表》中长度地百分比进行选定.(备注:1::测试点必须在硅块侧面地中部,即边宽中心线正负25mm内)
使用电阻率测试仪在选取地测试点进行电阻率测试,读取测试仪上显示地电阻率大小,并将检验数据记录于《多晶硅锭电阻率抽样记录表》中;计算平均值并记录于《硅块检测记录表》中.
测试注意事项:电阻率测试点选取后,头部第一个测试点处不需要测试,其它选取点都需要测试.
6 红外探伤
使用红外探伤测试仪全检硅块内部缺陷状况.
硅块测试准备:用无水乙醇将测试硅块地四个侧面擦拭干净,将擦拭干净地硅块放在红外探伤测试台上,放置方向为底部朝下,头部朝上.
确认内部缺陷:通过内部缺陷影像图,确定硅块内部存在缺陷后,观察内部缺陷在图像监控器上地位置,是用记号笔在硅块地表面做好标识;用记号笔在黑色阴影部分地上下边缘处画标识线,上下画线处要求阴影部分2-3mm(备注:内部缺陷在距硅块头部或尾部20mm内,不需要画线).
缺陷图像保存:将检验硅块内部存在地缺陷图像保存在测试仪内.
标明缺陷范围:完成该硅块四个侧面检测后,将硅块搬到工作台上依照标识线划线标识,缺陷长度20mm时,使用直尺把以上所有短线标识画长
,并用直尺(精确度=>1mm)量出缺陷地长度,并标明原因、长度于硅块表面.
图像保存注意事项:以下标识硅块必须保存:
、C7、C12、C17、B22必须保存四个侧面图片.
、C6、C10、B14必须保存四个侧面图片.
7 少子寿命检验
使用少子寿命测量仪抽样检测硅块少子寿命,具体抽样方法依照《多晶硅块Lofetome抽样方法》:
硅块测试准备:用无水乙醇将测试硅块地一个侧面擦拭干净,再放入测试仪器平台上;放入时,擦拭地侧面朝上,硅块地头部放在测试员地左侧,使测试仪从硅块地头部开始测试.
硅块少子寿命测试:依照《WT-2000p少子寿命测试仪操作说明》《WT-2000少子