文档介绍：该【神经形态开关的高密度存储 】是由【科技星球】上传分享，文档一共【31】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【神经形态开关的高密度存储 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。,在多个晶圆层上集成神经形态器件,提高存储密度。,将神经形态器件与其他功能器件(如忆阻器、闪存)结合,实现多模态存储。,如晶圆级封装和扇出型封装,优化导热和电性能,满足高集成度的要求。,实现单神经形态器件中多位存储,提高存储效率。,增强多位存储的稳定性和可重复性。,提高多位存储的准确性和可靠性。,优化阵列结构和互连方式,最大化存储容量。,如树状互连、交叉开关网络等,提升数据传输效率。,降低存储功耗和延迟。,实现神经形态器件的高效使用。、高性能的神经形态芯片架构,满足人工智能计算需求。,如类脑芯片、脉冲神经网络芯片等,增强计算能力。,提高器件性能和集成度。,实现高精度、高良率的器件制造。,满足大规模生产的需求。,提高器件可靠性。,减轻器件缺陷对存储的影响。,提升系统稳定性。,如超大规模集成电路(VLSI)工艺,实现高密度神经形态开关阵列的制造。,降低制造成本,同时保持优异的器件性能。,使阵列易于扩展,满足大规模存储需求。,如可塑性、自适应性和非线性。,实现多值存储,提高存储容量。,模拟生物神经网络的时序信息处理能力。,增强器件的耐久性和循环稳定性。,如冗余设计和错误校正,提高阵列的整体可靠性。。,降低开关的功耗。,减少不必要的功耗。,为阵列供电,实现自供电操作。。(如处理器、存储器)无缝集成的接口。,实现阵列与其他电子元件的良好协同工作。。,保护阵列中存储的数据。。