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拓扑半导体在自旋电子器件中的应用.pptx

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拓扑半导体在自旋电子器件中的应用.pptx

上传人:科技星球 2024/3/26 文件大小:153 KB

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文档介绍:该【拓扑半导体在自旋电子器件中的应用 】是由【科技星球】上传分享,文档一共【27】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【拓扑半导体在自旋电子器件中的应用 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。,其中绝缘体体带隙内存在狄拉克锥或狄拉克线。,导致拓扑表面态的出现,这些表面态具有以下性质:-自旋锁死:表面态的电子自旋与动量相关联,形成自旋极化的电流。-拓扑保护:表面态受拓扑序保护,对无序和缺陷不敏感。,在具有重原子或强自旋轨道耦合的材料中尤为明显。,在某些情况下可以产生拓扑绝缘相。,量子自旋霍尔绝缘体中,自旋轨道耦合打开体系中的带隙,产生具有相反自旋的表面态。、外加电场或应变等手段进行调节。,例如其自旋极化和导电性。。。,例如自旋锁定、线性色散和拓扑保护。。,例如化学成分或外加场,拓扑绝缘体可以经历拓扑相变。,体系的拓扑性质发生改变,例如从拓扑绝缘相变为普通绝缘相。。,例如自旋注入、自旋传输和自旋检测。,从而克服了传统自旋电子器件的限制。、高效率的自旋电子器件,例如自旋场效应晶体管和自旋逻辑器件。,其自旋被锁定在动量方向上,表现出独特的自旋-轨道耦合特性。,拓扑表面态中的电子自旋在垂直于动量的方向上保持不变,不受外加磁场或杂质的影响,对自旋操纵具有重要意义。,为自旋电子器件的开发提供了新的途径。,其自旋也表现出锁定特性,并且沿边缘方向传输。,推动了自旋电子器件的低功耗和高效率发展。。,当磁场垂直于拓扑绝缘体的表面时,产生与经典霍尔效应相反的横向电压。,它提供了测量拓扑绝缘体表面态自旋极化的有效手段。,并为自旋电子器件的发展提供新的思路。,是自旋电子器件的关键技术。,成为自旋注入的理想材料。,并且不受外加磁场的影响,有望应用于高效自旋电子器件的开发。,是自旋电子器件的另一项关键技术。,可以通过电场、光场或应变来实现。、高效率的自旋电子器件提供了新的可能性。,拓扑绝缘体中自旋锁定特性对自旋热电效应有显著影响。,可以将热能转化为电能或电能转化为热能,在热电器件和自旋电子器件中具有应用前景。。