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90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究的中期报告.docx

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90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究的中期报告.docx

上传人:niuww 2024/3/26 文件大小:10 KB

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文档介绍:该【90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【90nm NMOS器件TDDB击穿特性研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。90nmNMOS器件TDDB击穿特性研究的中期报告这篇中期报告是关于针对90nmNMOS器件的TDDB击穿特性研究的。TDDB(Time-DependentDielectricBreakdown)是一种损伤崩溃的失效模式,当电场致使介质材料崩溃时,TDDB就会发生。在集成电路制造中,TDDB是一个重要的失效模式,因为它可能导致芯片失效。本研究的主要目的是研究90nmNMOS器件的TDDB击穿特性,并确定它们的参数。在本研究中,我们使用了工业标准的TDDB测试方法,即在高温和高电场条件下对器件进行加速寿命测试,并记录失效时间和电场数据。我们还利用了密集注入技术来创造不同的电场加速因子,并研究了不同电场加速因子下的器件失效时间。初步的结果表明,90nmNMOS器件的TDDB击穿特性比较复杂,可能由多种因素共同造成。我们还观察到,器件失效时间和电压的关系呈现出非线性趋势,并且失效时间也会受到温度和湿度等环境变化的影响。随着我们继续进行下一阶段的研究,我们计划进一步探索90nmNMOS器件的TDDB特性,并更详细地研究这些器件的结构和材料。我们还计划研究不同器件制造工艺和设计参数对TDDB击穿特性的影响,并寻求一种更可靠的方法来预测TDDB故障模式和失效时间。