文档介绍：该【AlGaInP红光LED芯片的研究与制作的中期报告 】是由【niuww】上传分享，文档一共【2】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【AlGaInP红光LED芯片的研究与制作的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。AlGaInP红光LED芯片的研究与制作的中期报告本次研究是以AlGaInP材料为基础,制作红光LED芯片。本报告旨在介绍中期实验进度及结果。实验步骤::从市场上购买AlGaInP蓝光LED芯片,制作AlGaInP红光LED芯片所需的原材料、药品等。:将衬底(n型GaNorsapphire)用***、异丙醇、去离子水等化学药品清洗后,放入压力锅中进行超声波清洗,再用去离子水反复清洗干净。:采用金属有机气相外延(MOVPE)法,,然后是p区AlxGa1-xInP多量子阱(MQW),最后是n区AlxGa1-xInP,在外延过程中,加入氨气、磷化氢、氮气、三***铝、三***镓等气体。:使用光刻技术制作电极图案,并通过真空蒸镀技术,在电极区域上镀上金属。:使用钻石刃锯将衬底切割成多个LED芯片,并进行电学测试,包括电压、发光亮度、波长等参数。实验结果:,生长过程稳定,MQWs层数达到了设计要求。,并在电极区域上成功镀上金属。,进行了电学测试,发现其发光亮度与波长均符合红光LED芯片的要求。在最佳工作电压下,芯片发光强度可达到50mcd。下一步计划:,提高MQW生长质量和层数。,提高LED的发光效率。,进行更加详细的测试和分析。