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GaN厚膜与自支撑衬底的HVPE生长与特性研究的中期报告.docx

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GaN厚膜与自支撑衬底的HVPE生长与特性研究的中期报告.docx

上传人:niuww 2024/3/27 文件大小:10 KB

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文档介绍:该【GaN厚膜与自支撑衬底的HVPE生长与特性研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【GaN厚膜与自支撑衬底的HVPE生长与特性研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。GaN厚膜与自支撑衬底的HVPE生长与特性研究的中期报告本研究的主要目的是探究厚膜GaN和自支撑衬底生长的HVPE技术以及它们的特性。在实验部分,我们使用了一个定制的HVPE反应器,在衬底上生长了几种不同厚度的GaN薄膜,并进行了相关特性测试。我们还尝试使用自支撑衬底,在其中生长了一系列具有不同厚度和形貌的GaN薄膜,同样进行了相关特性测试。在分析部分,我们首先进行了薄膜表面形貌和质量的表征,然后研究了不同厚度下的光电学,电学和力学性能。我们还分析了GaN薄膜与自支撑衬底的界面,探究了其影响因素以及对GaN薄膜性能的影响。初步结果表明,我们成功地生长出了一系列厚度不同的GaN薄膜,并且GaN薄膜在不同厚度下表现出各种各样的电学和光学性能。自支撑衬底的生长结果也表明,不同的形貌和结构会对GaN薄膜的性能产生显著影响。我们还发现,界面缺陷可能会对GaN薄膜性能产生负面影响。综上所述,本研究在厚膜GaN和自支撑衬底方面取得了初步成果,为进一步研究和应用提供了一定的理论和实验基础。