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GaN基异质结中的极化效应及Si衬底GaN生长研究的中期报告.docx

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GaN基异质结中的极化效应及Si衬底GaN生长研究的中期报告.docx

上传人:niuww 2024/3/27 文件大小:10 KB

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文档介绍:该【GaN基异质结中的极化效应及Si衬底GaN生长研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【GaN基异质结中的极化效应及Si衬底GaN生长研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。GaN基异质结中的极化效应及Si衬底GaN生长研究的中期报告本研究旨在探究GaN基异质结中的极化效应及Si衬底GaN生长过程中的热力学机制及其影响因素。首先,通过建立GaN基异质结的理论模型,分析了极化效应对异质结内部电场及载流子行为的影响。研究发现,在垂直异质结构中,极化电场会形成电子与空穴的分离区域,从而影响了异质结中的电子输运和复合过程。同时,对于倾斜异质结结构,极化效应也会对能带结构和电场分布产生显著的影响,增加异质结的态密度和复合速率,影响其光电性能。其次,通过对Si衬底上GaN生长过程中的热力学机制进行研究,建立了单晶GaN的热力学模型,分析了GaN晶体生长过程中的热力学动力学因素。研究发现,渗透系数和物种浓度等生长条件对晶体生长的影响极大,并探究了生长过程中的局部温度梯度等因素对晶体质量的影响。根据研究结果,提出了优化GaN晶体生长工艺的建议,以实现高质量的晶体生长。综上所述,本研究的中期报告通过理论模型和实验研究,深入探究了GaN基异质结中的极化效应及Si衬底GaN生长过程中的热力学机制,为异质结光电器件和GaN晶体生长的优化提供了有益的参考。