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GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告.docx

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上传人:niuww 2024/3/27 文件大小:10 KB

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文档介绍

文档介绍:该【GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告本文为GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究的中期报告。该研究旨在研究GaN外延生长过程中的SOI柔性衬底技术,并探索其对GaN外延质量和性能的影响。目前,我们已经完成了外延生长的初步实验。在实验中,我们使用了SOI衬底,并通过剥离技术将硅层剥离,获得了柔性衬底。接下来,我们在柔性衬底上进行了GaN外延生长。初步的结果显示,使用SOI柔性衬底可以获得良好的GaN外延。与传统硅衬底相比,SOI柔性衬底可以提高外延质量和晶格匹配度。这主要是因为SOI柔性衬底可以提供更好的面向表面、更低的晶格失配和减少GaN中的附加缺陷。此外,我们还研究了柔性衬底在GaN外延过程中的固有特性对外延质量和性能的影响。初步结果表明,SOI柔性衬底的厚度、孔洞密度和孔洞直径等参数对GaN外延质量和性能有较大影响。我们将进一步研究这些影响,并寻找优化实验参数的方法。综上所述,SOI柔性衬底技术对于GaN外延生长具有很大的潜力。我们将继续深入研究,并进一步优化实验参数,以提高GaN外延的质量和性能。