1 / 2
文档名称:

GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告.docx

格式:docx   大小:10KB   页数:2页
下载后只包含 1 个 DOCX 格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表

如果您已付费下载过本站文档,您可以点这里二次下载

分享

预览

GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告.docx

上传人:niuww 2024/3/27 文件大小:10 KB

下载得到文件列表

GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告.docx

相关文档

文档介绍

文档介绍:该【GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【2】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。GaN的制备与GaN基肖特基器件的中期报告本文将对GaN的制备以及GaN基肖特基器件的中期报告进行介绍。,具有高的电子迁移率、高的热稳定性、高的能隙以及优良的光学性能等特点。目前,GaN的制备主要有以下几个方法:(1)化学气相沉积法(CVD)CVD是一种常用的制备GaN的方法,通过将氨气和三***镓或三***铝在高温下反应,从而制备出GaN薄膜。该方法可以在不同的基片上制备出GaN薄膜,如蓝宝石、石英和Si等。(2)分子束外延法(MBE)MBE是一种将纯净金属材料以分子形式加热并蒸发的方法,通过高真空条件下的高温电子炉、磁控溅射等方法将原材料制备成单晶GaN薄膜。该方法制备的GaN薄膜具有较高的质量,适合用于制备高性能的电子器件。(3)水热法水热法是一种简单易行的制备GaN纳米晶的方法,适用于制备量较小的纳米晶。通过将氨水和MgO等原料在高温和高压下反应,可以制备出具有优异光学和电学性能的GaN纳米晶。,其应用范围涵盖了高功率电子器件、高速电子器件和光电器件等领域。在GaN基肖特基器件的研究中,主要存在以下几个问题:(1)制备技术不成熟目前,制备GaN的技术尚不成熟,制备出来的GaN薄膜杂质多、缺陷多,导致GaN基肖特基器件的性能受限。(2)绝缘层的质量问题GaN基肖特基器件的性能与绝缘层质量密切相关。当前使用的绝缘层材料主要是氮化硅(SiN),但其性能存在一定的问题,如介质常数较高、介电损耗大等,必须进行优化。(3)金属电极与GaN界面问题GaN基肖特基器件的金属电极与GaN接触处的界面问题是制约器件性能的重要因素之一。界面的电特性以及金属与GaN接触的性质都需要进一步研究和优化。综上所述,当前GaN的制备技术仍需进一步发展,同时GaN基肖特基器件的研究也面临着一些挑战。随着技术的不断进步和发展,相信GaN基肖特基器件的性能会得到显著提升,并将得到广泛应用。