文档介绍：该【InGaNGaN量子阱发光特性及反常输运行为研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享，文档一共【1】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【InGaNGaN量子阱发光特性及反常输运行为研究的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。InGaNGaN量子阱发光特性及反常输运行为研究的中期报告这个报告涉及了InGaNGaN量子阱的发光特性和反常输运行为的研究,下面对其中一些主要内容进行简要概括::介绍了InGaN/GaN量子阱的生长条件和生长过程中的一些结构特征,包括在不同生长温度下的晶体质量和InGaN量子阱的厚度和组分分布。:通过在低温下的光致发光和光吸收谱研究了InGaN量子阱的发光特性,,能够获得最强的绿色发光。同时也探究了InGaN量子阱的激子荷载情况以及其在不同温度下的退火效应。:通过在不同电场下的电导率和霍尔测量研究了InGaN量子阱中的(隧穿)反常输运行为。表明在高电场下会出现隧穿效应,并且在低温下对电路设备的可靠性造成不利影响。以上是该报告的主要内容,下一步将继续对相关特性进行研究,并为光电器件的优化提供基础数据和理论指导。