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InN基材料的MOCVD生长及特性研究的中期报告.docx

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上传人:niuww 2024/3/27 文件大小:10 KB

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文档介绍:该【InN基材料的MOCVD生长及特性研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【InN基材料的MOCVD生长及特性研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。InN基材料的MOCVD生长及特性研究的中期报告InN基材料是近年来研究的热点之一,其具有宽禁带、高电子迁移率等优异性能,适用于红外探测器、高速电子器件等领域。本研究以MOCVD方法为基础,对InN基材料的生长及特性进行研究。在生长方面,我们采用了以三***铝和氨为前驱体的MOCVD方法,在不同气氛下进行生长。通过优化生长温度、压力、流量等参数,成功得到了高质量的InN薄膜。我们发现,氢气气氛有利于提高InN薄膜的质量,同时可降低生长温度。通过XRD、SEM等测试手段,确认了InN薄膜的晶体结构、表面形貌、厚度等特性。在特性方面,我们主要关注了InN的光电特性和热稳定性。通过PDS测试,我们发现InN材料具有明显的光吸收峰,且其能带宽度随温度的变化较小。这表明InN材料在高温环境下仍能保持较好的光电性能。同时,我们也研究了InN材料的热稳定性,并发现在较高温度下,InN薄膜也能保持良好的稳定性和结构特性。总体来说,我们的研究结果表明,在MOCVD方法的基础上,可以得到高质量的InN薄膜,并且其具有优异的光电特性和热稳定性。这为今后InN材料的应用研究提供了一定的基础。