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TCNQ类电荷转移复合物有机半导体表面的结构研究的中期报告.docx

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TCNQ类电荷转移复合物有机半导体表面的结构研究的中期报告.docx

上传人:niuwk 2024/3/27 文件大小:10 KB

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文档介绍:该【TCNQ类电荷转移复合物有机半导体表面的结构研究的中期报告 】是由【niuwk】上传分享,文档一共【1】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【TCNQ类电荷转移复合物有机半导体表面的结构研究的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。TCNQ类电荷转移复合物有机半导体表面的结构研究的中期报告本研究旨在通过利用表面增强拉曼散射技术研究四***基对苯醌(TCNQ)类电荷转移复合物有机半导体表面的分子结构。在本次研究中,Q类电荷转移复合物有机半导体薄膜,并使用红外光谱和拉曼光谱对其进行了表征。Q类电荷转移复合物的典型特征。在高频区域,TCNQ的苯环C=C伸缩振动位于1590cm-1,而伯***的N-H拉曼峰位于3250cm-1。在低频区域,TCNQ苯环C=C弯曲振动位于850cm-1,而非对称和对称的C-N伸缩振动分别位于1350cm-1和1280cm-1。用表面增强拉曼散射(SERS)Q类电荷转移复合物有机半导体薄膜表面的分子结构。我们利用金纳米颗粒作为SERS活性基底,Q类电荷转移复合物的表面增强拉曼信号。通过与实验室合成基准物质的比较,Q类电荷转移复合物的拉曼峰位移和峰强度的定量分析结果。我们的结果表明,TCNQ类电荷转移复合物薄膜表面存在一些结晶缺陷和表面吸附的杂质分子,这些都导致拉曼峰的位置和强度发生变化。未来,Q类电荷转移复合物表面的分子结构,并寻找新的表征技术来更好地理解这些材料的物理性质。