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@RGO,该复合材料由石墨烯和复原氧化石墨烯双重包装硅纳米线组成,石墨烯基片能弯曲变化且为封闭的,有效的阻止了硅纳米线与电解液的直接接触,复原氧化石墨烯有效的抑制了******@G纳米电缆的体积膨胀效应,从而保证了复合材料的结构和电性能的完整性。大致制备过程如下:首先硅纳米线采用重叠的石墨烯基片包覆形成芯鞘结构纳米电缆******@G,然后将其夹在复原氧化石墨烯之间,最后依次重复上述过程进行三明治的制作即可得到目标产物。该复合材料在脱嵌锂过程中,复原氧化石墨烯能根据硅的体积膨胀做出相应的形状变化,从而保证了循环稳定性。制备示意图如图15所示:图******@******@RGO复合材料的制备示意图及脱嵌锂过程示意图该复合材料在840mA/g的电流密度下,50个循环容量几乎不衰减,保持在840mAh/g,,循环100个周期能保持初始容量的80%,但首次库仑效率较低,仅为50%左右。如图16所示:图******@******@RGO复合材料充放电性能测试NingLin,JianbinZhou,LiangbiaoWang等[12]提出了一种新颖的方法制备******@C/RGO复合材料,该方法中有聚苯***的协助,聚苯***不仅仅作为“胶水〞通过静电引力粘结纳米硅颗粒和氧化石墨烯,同时也作为碳源层包覆在硅颗粒,在随后的高温热处理过程中会裂化为碳层。大致制备步骤如下:首先,将苯***和硅粉参加去离子水中,苯***吸附在带正电荷的硅颗粒外表,过硫酸铵作为氧化剂,通过化学氧化法原位聚合的方式修饰硅颗粒,然后,参加氧化石墨烯悬浮液,带正电荷的中间体和带负电荷的氧化石墨烯分子进行静电自组装,其中,聚苯***牢固地粘住硅颗粒和GO片,最后对上述混合物在管式炉中在氩气的气氛中在600℃下进行热处理即可得到目标产物。如图17所示:图******@C/,-,首次充放电容量分别为2024mAh/g和1630mAh/g,%。,230个循环后依然保持容量1121mAh/g,这主要归功于碳层和石墨烯片的双重保护作用。同时,复合材料也有较好的倍率性能,、2、3、4、6、10、1520A/g时,比容量依次为1226、948、726、588、548、492、388、274、232mAh/g,,比容量恢复为1148mA/g。如图18所示: