文档介绍：该【磁控溅射制备超薄TiN薄膜电极的中期报告 】是由【niuww】上传分享，文档一共【2】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【磁控溅射制备超薄TiN薄膜电极的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。磁控溅射制备超薄TiN薄膜电极的中期报告中期报告摘要:本文介绍了磁控溅射制备超薄TiN薄膜电极的研究进展。首先介绍了超薄TiN薄膜电极的研究目的和研究意义,然后介绍了磁控溅射技术的基本原理和制备流程。接着详细阐述了磁控溅射制备超薄TiN薄膜电极的实验方法和步骤,并通过SEM和XRD等测试手段对制备的薄膜进行了性能分析,得到了一定的实验结果并进行了初步分析。关键词:磁控溅射;超薄TiN薄膜电极;制备1、研究目的作为一种新型功能材料,超薄TiN薄膜电极具有很好的导电性、机械性能和化学稳定性等优点,在微电子学、光电子学、传感器等领域得到了广泛应用。然而,制备超薄TiN薄膜电极的工艺技术和性能研究仍有许多不足之处,因此,本研究的目的是探究磁控溅射技术制备超薄TiN薄膜电极的方法和性能,并通过实验分析其应用价值和前景。2、制备流程超薄TiN薄膜电极的制备采用磁控溅射技术,其制备流程包括:(1)清洗基板,在超声波清洗机中使用去离子水清洗基板,并在紫外线干燥器中干燥基板表面水分和油污。(2)将TiN靶与基板交错放置,将制备腔室抽真空至5×10-5Pa,。(3)开启氩气进气阀门,m,预处理10分钟,m,开始制备超薄TiN薄膜电极,制备时间为60分钟。(4)制备完成后,关闭气体流量,关闭电源,等待制备腔室降温至室温后,从腔室中取出基板。3、实验方法将制备的超薄TiN薄膜电极通过SEM和XRD等测试手段进行性能分析。通过SEM观察薄膜表面形貌和膜厚,通过XRD分析其结晶性和取向性。4、实验结果通过SEM观察得到制备的超薄TiN薄膜电极表面较为均匀,无裂纹和明显缺陷,膜厚为50nm。通过XRD测试分析,得到TiN薄膜具有较好的结晶性和取向性,且晶格参数与标准值相近。5、初步分析本研究利用磁控溅射技术成功制备出超薄TiN薄膜电极,并对其进行了性能分析。通过实验结果可以得到,制备出的超薄TiN薄膜电极表面较为均匀且无明显缺陷,晶格参数与标准值相近,具有较好的结晶性和取向性,符合超薄TiN薄膜电极的应用要求。然而,在实验中仍存在一些问题,如制备过程中气体流量、压强、温度等参数的影响机理还需要进一步深入研究。6、结论通过本研究,对利用磁控溅射制备超薄TiN薄膜电极的方法和性能进行了初步研究和分析,得到一定的实验结果和结论。基于此,还需进一步深入探究制备流程和参数的影响机理,以进一步优化制备方案和提高超薄TiN薄膜电极的制备质量和性能,推进其在微电子学、光电子学、传感器等领域的应用和发展。