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高精度低温漂CMOS基准源的设计与比较的中期报告.docx

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高精度低温漂CMOS基准源的设计与比较的中期报告.docx

上传人:niuww 2024/4/23 文件大小:10 KB

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文档介绍:该【高精度低温漂CMOS基准源的设计与比较的中期报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【2】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【高精度低温漂CMOS基准源的设计与比较的中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。高精度低温漂CMOS基准源的设计与比较的中期报告当前,高精度低温漂CMOS基准源已成为广泛应用于各种工业和科学领域的必要元件。为了设计出更优异的基准源,本项目中分析了两种不同类型的高精度低温漂CMOS基准源设计方法,并将其进行了比较。设计方法一采用采样保持电路实现,其基本流程如下:。。。,并输出误差信号。,以调整基准电流,从而稳定输出信号。设计方法二采用CMOS三极管实现,其基本流程如下:。,并通过反向连接的PMOS三极管来消除温度漂移。,以调整基准电流,从而稳定输出信号。比较结果如下:,可获得较高的基准电压精度。。。。综上所述,两种设计方法都可以获得高精度低温漂CMOS基准源。选择哪种方法应根据具体应用的需求和对设计参数的权衡。