1 / 2
文档名称:

光注入型SiC基电荷耦合器件的可行性分析的开题报告.docx

格式:docx   大小:10KB   页数:2页
下载后只包含 1 个 DOCX 格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表

如果您已付费下载过本站文档,您可以点这里二次下载

分享

预览

光注入型SiC基电荷耦合器件的可行性分析的开题报告.docx

上传人:niuwk 2024/4/25 文件大小:10 KB

下载得到文件列表

光注入型SiC基电荷耦合器件的可行性分析的开题报告.docx

相关文档

文档介绍

文档介绍:该【光注入型SiC基电荷耦合器件的可行性分析的开题报告 】是由【niuwk】上传分享,文档一共【2】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【光注入型SiC基电荷耦合器件的可行性分析的开题报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。(D)是一种通过光电转换的、用于图像传感和数据存储的集成电路。而硅碳化物(SiC)是一种新型的半导体材料,具有高温、高压、高频和抗辐照等特点,非常适合用于辐射环境下的电子器件。然而,D器件在辐射下易产生失效,而文献报道显示,光注入型(SiC/Si)电荷耦合器件则具有很强的抗辐照能力。因此,进一步探究光注入型SiC基电荷耦合器件的可行性,D器件在辐射环境下的可靠性和稳定性有重要意义。,具体包括:(1)利用理论模拟软件对光注入型SiC基电荷耦合器件的结构和工作原理进行分析和设计;(2)制备样品并使用光谱测试仪和示波器等设备对器件的光电性能进行测试和分析;(3)通过控制曝光时间和曝光强度对比实验,评估器件对辐照的稳定性能。(1)确定并设计出光注入型SiC基电荷耦合器件的结构和工作原理;(2)实验验证光注入型SiC基电荷耦合器件的性能,包括光电转换效率、辐射下的可靠性等;(3)为光电转换器件的发展提供重要的研究数据和技术支持。(1)光注入型SiC基电荷耦合器件的设计和制备要求高,需要采用先进的工艺和材料;(2)光电性能测试涉及到多种设备和技术,需要专业的实验技术和实验规范;(3)对器件抗辐射性能的评估需要复杂的辐射环境和条件。(1)2021年9月-2021年10月:对文献进行综述、明确研究方向,并进行相关理论模拟和器件结构设计;(2)2021年11月-2022年2月:根据设计方案制备样品,进行器件测试和性能分析;(3)2022年3月-2022年6月:对器件的抗辐射性能进行评估,并整理分析实验数据;(4)2022年7月-2022年8月:完成论文撰写、答辩和相关成果的宣传和推广。