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应变锗薄膜的制备与表征中期报告.docx

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上传人:niuwk 2024/4/28 文件大小:10 KB

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文档介绍:该【应变锗薄膜的制备与表征中期报告 】是由【niuwk】上传分享,文档一共【2】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【应变锗薄膜的制备与表征中期报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。:随着新材料、新器件和新技术的不断涌现,越来越需要具备高敏感度和高性能的应变测量和传感器。应变锗薄膜因其优异的光电特性而成为应用广泛的应变传感器材料之一。本研究旨在制备高质量的应变锗薄膜,并对其进行表征研究,探究其在应变传感器中的应用。:(1)利用热氧化法在石英基板上制备锗薄膜。(2)利用电子束蒸发法在锗薄膜上制备电极。(3)利用场发射扫描电子显微镜和原子力显微镜对样品表面形貌进行观察和分析。(4)利用X射线衍射仪测试锗薄膜的结晶性质。(5)测试样品在不同应变条件下的电阻率和霍尔系数,分析其光电特性。:(1)制备的锗薄膜表面平整,结晶性良好。(2)制备的锗薄膜在室温下出现明显的电阻率和霍尔效应,具有明显的光电效应。(3)样品的电阻率和霍尔系数均随着应变程度的增加而产生明显的变化。当应变程度达到一定程度时,样品的电阻率和霍尔系数产生明显的线性变化,表现出较好的应变传感特性。:通过热氧化法和电子束蒸发法制备的应变锗薄膜表现出了较好的光电特性,并且在一定应变范围内具有良好的应变传感特性。这为应变传感器的制备和应用提供了一定的理论和实验基础。未来可以通过调整制备条件和寻找新的材料体系来进一步完善应变传感器的性能。

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