1 / 2
文档名称:

杂质对量子点接触中自旋极化输运性质的影响的开题报告.docx

格式:docx   大小:10KB   页数:2页
下载后只包含 1 个 DOCX 格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表

如果您已付费下载过本站文档,您可以点这里二次下载

分享

预览

杂质对量子点接触中自旋极化输运性质的影响的开题报告.docx

上传人:niuww 2024/4/30 文件大小:10 KB

下载得到文件列表

杂质对量子点接触中自旋极化输运性质的影响的开题报告.docx

相关文档

文档介绍

文档介绍:该【杂质对量子点接触中自旋极化输运性质的影响的开题报告 】是由【niuww】上传分享,文档一共【2】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【杂质对量子点接触中自旋极化输运性质的影响的开题报告 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。(QD)是一种维度小于3的半导体宏观材料,具有优异的光电学性质,常被应用于场效应晶体管、单光子源等领域。自旋极化输运是指电子的自旋在输运过程中发生“自旋偏转”,其可用于实现自旋计、自旋量子存储、自旋逻辑运算等。而QD在自旋极化输运中也有很好的应用前景。然而,在实际应用中,QD常受到杂质等外界物理环境的影响,导致自旋极化的损失和混杂,从而严重降低QD自旋极化输运的效率、稳定性及可信度。因此,对于杂质在QD自旋极化输运中的影响进行深入研究,具有重要的理论和应用意义。,通过理论计算和分析,探究杂质对QD接触中自旋极化输运的影响,并通过实验验证得出结论。具体研究内容包括:(1)理论模型的建立:基于自旋输运理论,建立杂质对QD自旋极化输运的影响模型。(2)数值计算分析:通过数值模拟和计算,探究杂质浓度、位置、分布等因素对QD自旋极化输运的影响。(3)实验验证:以高质量的QD样品为基础,通过实验方法验证理论模型的正确性,并分析实验结果,得出结论。:(1)自旋输运理论:借助自旋输运理论和量子力学原理,建立QD自旋极化输运的数学模型,从理论上分析杂质对自旋极化输运的影响。(2)离子注入技术:使用离子注入技术,在高质量的QD样品中引入一定浓度的不同种类的杂质点,以模拟实际环境下QD接触中的杂质。(3)飞秒光谱技术:采用飞秒光谱技术,测量不同杂质浓度和位置下,QD自旋极化输运的动力学演化过程,并以此验证理论模型的正确性。:(1)建立一套可行的QD自旋极化输运理论模型,能够准确描述不同杂质浓度、位置、分布下的自旋极化输运行为。(2)通过飞秒光谱技术实验,验证理论模型的正确性,并得到不同杂质浓度和位置下QD自旋极化输运的实验数据。(3)分析实验数据,得出杂质对QD自旋极化输运的影响规律,并总结影响因素和机理,为今后的进一步研究和应用提供理论基础。本文研究的意义在于,为进一步提高QD自旋极化输运的效率和稳定性,解决实际应用中遇到的杂质等大量环境问题,提供了一定的理论指导和实验基础。