集成电路制造工艺微电子.ppt

文档介绍：该【集成电路制造工艺微电子 】是由【相惜】上传分享，文档一共【41】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【集成电路制造工艺微电子 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。..形成N阱初始氧化淀积氮化硅层光刻1版,定义出N阱反响离子刻蚀氮化硅层N阱离子注入,,其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化去掉光刻胶及氮化硅层P阱离子注入,,,形成侧壁氧化层淀积难熔金属Ti或Co等低温退火,形成C-47相的TiSi2或CoSi去掉氧化层上的没有发生化学反响的Ti或Co高温退火,,利用光刻胶将PMOS区保护起来离子注入磷或***,形成N管源漏区形成P管源漏区光刻,利用光刻胶将NMOS区保护起来离子注入硼,,形成接触孔.