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突破扁线/油冷电机集成应用、SiC模块应用、双面冷却模块应用等多项研发应用技术。士兰微:2021年,基于公司自主研发的V代IGBT和FRD芯片的电动汽车主电机驱动模块,已在国内多家客户通过测试,并已在部分客户批量供货。目前公司正在加快汽车级和工业级功率模块产能的建设。2021年,,较上年增长73%。4、布局未来:SiC加速渗透,进一步打开行业天花板目前车规级半导体主要采用硅基材料,但受自身性能极限限制,硅基器件的功率密度难以进一步提高,硅基材料在高开关频率及高压下损耗大幅提升。以SiC与GaN为代表的第三代宽禁带半导体功率器件具有高击穿电压、高功率密度、耐高温、高频工作等优势,适用于大功率、高频率与恶劣的工作环境,解决Si基器件痛点。:..在主要三代化合物半导体材料中,SiC最适合用于新能源汽车领域,而GaN更适用于射频领域。SiC与GaN相比,具有更高的热导率和崩溃电压,因此在高温和高压领域应用更具优势,适用于新能源汽车、快充充电桩、光伏和电网等600V甚至1200V以上的电力领域。在新能源汽车领域,SiC功率器件将主要用于逆变器、OBC和DC/DC转换。尽管性能优越,受制于高昂的成本,当前SiC在新能源汽车领域渗透率较低。由于生产设备、制造工艺、良率与成本的劣势,碳化硅基器件过去仅在小范围内应用。根据比亚迪半导体招股说明书,目前国际主流SiC衬底尺寸为4英寸和6英寸,晶圆面积较小、芯片裁切效率较低、单晶衬底及外延良率较低导致SiC器件成本高昂,叠加后续晶圆制造、封装良率较低,且载流能力和栅氧稳定性仍待提高,SiC器件整体成本仍处于较高水平。预计SiC市场规模未来几年快速提升,,中国达21亿美元。根据产业链调研,通常一辆新能源汽车中整车主驱逆变器、OBC以及DCDC转换器用到的SiC价值量在900-1000美元左右;假设到2025年单车SiC成本下降30%,到700美元左右,渗透率提升到30%。,%;国内市场达21亿美元,%,中国将成为全球新能源汽车SiC器件主要市场。:..SiC芯片产业链与硅基产业链类似,主要分为晶圆衬底、外延、设计、制造和封装等环节,市场主要由海外厂商掌控,国内碳化硅产业仍处于起步阶段,与国际水平仍存在差距。据Yole数据,2020年碳化硅功率器件市场中,ST、Cree、ROHM、Infineon、%、%、%、%、%,CR5超过90%。国内碳化硅各环节已实现全产业链布局,但目前国产化率较低,未来有望伴随内需增长而实现提升。其中,衬底环节厂商包括山东天岳、天科合达等,外延厂商包括瀚天天成、东莞天域等,设计厂商包括上海瞻芯电子、上海瀚薪等,IDM厂商包括泰科天润、中科汉韵、三安集成、华润微、士兰微等。