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光刻工艺集成.pptx

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光刻工艺集成.pptx

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文档介绍:该【光刻工艺集成 】是由【科技星球】上传分享,文档一共【31】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【光刻工艺集成 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。:对特定波长的光敏感,曝光后产生化学或物理变化,形成可刻蚀的区域。:决定光刻胶最小可刻蚀的图案尺寸,由光刻胶本身、光源和曝光系统共同决定。:曝光后的光刻胶对刻蚀剂的抵抗能力,影响最终图案的形状和精度。:光刻胶的主体由单体或寡聚体通过聚合反应形成高分子链,赋予光刻胶所需的机械强度和耐溶剂性。:聚合物主链上引入特定官能团,例如光引发剂和感光剂,使其对特定波长的光敏感并具有可刻蚀性。,分为光学光刻、极紫外光刻、电子束光刻和离子束光刻。,分为接触式光刻、接近式光刻和投影式光刻。,分为步进式光刻和扫描式光刻。光刻工艺的原理主题名称:,主要包括涂胶、软烘、曝光、显影和硬烘等步骤。,光线通过掩模照射到光刻胶上,产生光聚合反应,形成曝光区域和未曝光区域。,未曝光的光刻胶被溶解,形成与掩模图案一致的沟槽或凸起结构。光刻工艺的分类主题名称:光刻技术分类光刻工艺的分类与原理主题名称:,用于定义要转移到晶圆上的图案。,包括图案设计、图形转移和蚀刻等步骤。。主题名称:,曝光后发生光聚合反应。、灵敏度、对比度和附着力等。。光刻工艺的分类与原理主题名称:,影响图案的精度和尺寸。,其光源、光学系统和对准精度对曝光效果有重要影响。,曝光技术的创新至关重要。主题名称:。。:遵循集成电路设计规则,确保器件尺寸、形状和位置的精度;:从逻辑设计开始,通过布局、布线、仿真、验证等步骤完成;:使用计算机辅助设计(CAD)软件,自动或半自动生成掩模图案。:包括光刻、蚀刻、沉积、检查等步骤,以在衬底上形成所需的图案;:根据光刻波长、耐久性、尺寸精度和成本等因素选择合适材料,如石英、铬、光致抗蚀剂;:采用电子束光刻、激光光刻或纳米压印等方法,将设计图案转移到掩模上。