文档介绍:1)、粉红圈的造成原因:
由于在沉铜时,压板未能把内层铜和半固化片压紧,这样沉铜时的药水就会从缝隙中渗进去,把里面的内层的黑膜腐蚀掉,这样就会变成一条裂缝,且是粉红圈。
另外造成的厚因:
1、树脂与黑氧化结合力不足;
2 、prepreg 胶含量不足;
3 、压合时,升温太慢
4、氧化铜有问题;
5、钻孔太猛。
2)、粉状沉铜(即铜粗):
1、板子留缸过久;
2 、浓度过高;
3 、温度过高;
4 、活化剂污染铜缸。
3)、铜面颜色呈红或黑色:
1、铜缸Temp 低;
2、过久停留在活化缸中;
3、铜缸浓度低;
4、铜缸负荷过重。
4)、孔内无铜主要厚因:
1、镀锡锌不良(从切片上可看出,图形电镀是没有包住全板电镀
且有的带倾斜状)
2 、沉铜出问题(从切片上可看出图形包住全板)
3 、干膜塞孔引起(从切片上可看出无铜处是有的地方是有一点铜的图形不包全板)
4、 PTH气泡造成(从切片上可看出无铜的地方是对称的,是图形电镀包住全板。
5、图形汽泡(图形不包住全板)
6、背光不良(它的无铜与干菲林塞孔的切片差不多,不过它的图形包住全板)
5)、绿油塞孔的好处:
防止在喷锡时在孔口上有锡球产生,且凝固,有了绿油自然就有一种保护作用。且只能从CS面进行塞孔,不能双面塞孔因为双面塞孔,中间会有汽泡,一是温度升高会爆炸。
6)、反缸过剧原因:
1、温度过高
2、浓度过高
3 、隋板金属
4 、活化剂污染
7)、深孔怎样镀铜:
垂直挂镀:此时孔呈卧姿,对电流有关,使药水在孔中往复来回,电流密度最大只能15ASF,若孔太深,则更换整流器
这种方法高电流与低电流镀铜的厚度凑巧不多,(便宜又经济)。
水平连线自走高速镀铜:
优点:槽液自下向上强力涌流,比垂直挂镀镀小孔好完全自动化,无需上下挂架,对薄板镀铜效果更好
缺点:成本贵,连线太多,小毛病不断发生,在多产量情况下阳极消耗太快每隔三天就要停机半天;双面有盲孔时,很难克服朝下者孔底铜厚不足。
8)、铜壁太薄会吹孔:
原因是在漂锡时孔破太多使基材吸饱水后,在高温中大量的水蒸气向孔中喷出推开液锡造成吹锡。
9)、铜渣成短路:
在二次镀铜时有铜异物造成,为什么蚀刻不掉呢?原因此异物加上二次镀铜,故很厚很难蚀刻掉。
10)、细线怎样做成?
必须采用超薄铜皮(低于3/8OZ)
11)、国外的细线又怎样生产呢?
它的“超薄铜皮”是下正规铜箔先做一次很特别的“减厚”蚀刻处理,,。
12)、短路:
此种情况由于蚀刻不清造成,而此造成的原因如下:
1、药水浓度低
2 、喷压过小
3、喷咀堵塞
4、过板速度快
5、贴膜温度高
6、贴膜后存放过久
7、重氮片遮光不足
8、干膜过期或存放不当
13)、镀铜
硫酸盐镀铜:CL离子必须少量存在,才能得到全光亮镀层,含量一般在20-80mg/l。过低则电解液的整平性和镀层光亮度均下降,且易产生亮树枝状条纹,严重时镀层粗糙甚至烧焦,过多时光亮度下降且低电流密度区不亮。
CL离子在此中的作用
可能由于CL离子在电极表面有较强的吸附作用并与CU离子形成CUCL2时电极表面的CU离子起稳定作用降低了CU离子的放电速度,且防止CU离子发生岐化反应,从而使铜镀层至密。另外CL离子的存在可能对两类光亮剂在电极表面时吸附起协调作用,常以HCL和CUCL2的形式加入。
硫酸:在酸性镀铜中防止铜盐水解,减少铜粉,无硫酸存在时硫酸亚铜或硫酸铜水解产生沉淀。
CuSO4+2H2O=Cu(OH)2+H2SO4
Cu2SO4+2H2O=Cu(OH)2+H2SO4
当硫酸浓度上升时,硫酸亚铜的溶解度上升,否则硫酸亚铜将结晶析出。
工艺条件的影响
温度
提高电解的温度可加大电流密度,从而可提高镀层的光亮和整平性,而且韧性亦好,酸性光亮镀铜的温度控制与使用的光剂有关。
目前使用的光剂T≥25℃时阴极极化显著下降,镀层的低电流密度区产生白雾和发暗
T≥35℃时则镀铜层全部变暗。要求5-25℃。
阴极电流
温度高允许的阴极电流跟着高,有阴极移动或压缩空气搅拌时电流可达2-5A/dm2。
在正常的阴极电流范围内,阴极电流上升则沉积的速度加快,镀层光亮范围也上升,整平性也上升。
搅拌
搅拌能降低浓差极化,提高电流,防止镀层产生条纹,改善镀层的均匀性加速沉积速度。采用压缩空气搅拌有利于消除铜粉的产生,同时采用循环过滤以消除电解液中可能存在的微量铜粉和光剂分解产物以及悬浮杂质,有利于改善镀层质量提高电