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实验1 光敏电阻基本特性实验.doc

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实验1 光敏电阻基本特性实验.doc

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实验1 光敏电阻基本特性实验.doc

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文档介绍:该【实验1 光敏电阻基本特性实验 】是由【mama】上传分享,文档一共【6】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【实验1 光敏电阻基本特性实验 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。:,驾驭光敏电阻的基本工作原理。。。:利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻,又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示,光敏电阻采纳梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采纳大的灵敏面积,提高灵敏度。光敏电阻应用得极为广泛,可见光波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻,利用光敏电阻制成的光控开关在日常生活中随处可见,当内光电效应发生时,光敏电阻电导率的变更量为: 图(1)在上式中,e为电荷电量,为空穴浓度的变更量,为电子浓度的变更量,表示迁移率,当两端加上电压U后,光电流为:式中A为与电流垂直的表面,d为电极间的间距。在肯定的光照度下,为恒定的值,因而光电流和电压成线性关系。光敏电阻在未受到光照耀时的阻值称为暗电阻,此时流过的电流称为暗电流,光敏电阻受到光照耀时的阻值称为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流,亮电流与暗电流之差称为光电流,一般暗电阻越大,亮电阻越小,光敏电阻的灵敏度越高,光敏电阻的暗电阻一般在兆欧数量级,亮电阻在几千欧以下,暗电阻与亮电阻之比一般在102~106之间。一般光敏电阻(如硫化铅、硫化铊)的伏安特性曲线如图(2)所示,由该曲线可知,所加的电压越高,光电路越大,而且没有饱和现象,在给定的电压下,光电流的数值将隋光照增加而增大,在设计光敏电阻变换电路时,应使光敏电阻的工作电压或电流限制在额定功耗线之内。图(2)光敏电阻伏安特性曲线光敏电阻的光电流与光照强度之间的关系,称为光敏电阻传感器的光照特性,不同类型的光敏电阻,其光照特性也不同,多数光敏电阻传感器光照特性类似于图(3)的特性曲线,光敏电阻的光照特性呈现出肯定程度的非线性特性,光敏电阻的光照度——电阻值的典型特性曲线如图(4)所示,低照度a区曲线斜率较大,中间照度区b区可近似视为直线区,也是光敏电阻的主要工作区,因而光电流随光照度增长较快,在高照度区,电阻值随照度下降慢,光电流随照度增长也变慢。图(3)光敏电阻光照特性曲线图(4)光敏电阻照度—电阻特性曲线几种常用光敏电阻的光谱特性曲线如图(5)所示,对于不同波长的光,光敏电阻的灵敏度是不同的。从图中可以看出,硫化镉的峰值在可见光区域,而硫化铅的峰值在红外区域。因此,在选用光敏电阻时应当把元件和光源的种类结合起来考虑,才能获得满足的结果。图(5)光敏电阻光谱特性曲线当光敏电阻元件温度上升时,光敏电阻的阻值会下降,并且暗电阻比亮电阻下降更多。环境温度对低照度时电阻值的影响比在高照度时影响更大,因此,当环境温度上升时,光敏电阻的亮电阻与暗电阻之差值会减小,这意味着光敏电阻的光电流会有所降低,图(6)示出了CdS光敏电阻在光照度肯定时间电流与环境温度的关系曲线,可以看出环境温度上升时CdS光敏电阻的光电流会有所下降。图(6):直流稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、数字电压/频率表、各种光源、遮光罩、固体激光器、光照度计(自备或选配):、亮电阻并计算光电阻,视察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表欧姆档测得的电阻值为暗电阻R暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的电阻值为亮电阻R亮,暗电阻R暗与亮电阻R亮之差为光电阻R光,光电阻越大,则光敏电阻灵敏度越高。然后在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻,试作性能比较分析。 图(7)发光管连接电路图(8)、亮电流、光电流,依据图(8)接线,分别在暗光及环境光照耀下测出输出电压U暗和U亮,电流I暗=U暗/R,亮电流I亮=U亮/R,亮电流I亮与暗电流I暗之差称为光电流I光,光电流越大则灵敏度越高。,依据图(8)接线,电源可从直流稳压电源±2~±12V间选用,每次在肯定的光照条件下,测出当加在光敏电阻上电压为+2V、+4V、+6V、+8V、+10V、+12V时电阻R两端的电压U,和电流I,同时计算出此时间敏电阻的阻值,并填入以下表格,依据试验数据画出光敏电阻的伏安特性曲线。光敏电阻伏安特性测试数据表(暗光)工作电压2V4V6V8V10V12VU(V)I(mA)R光(Ω)光敏电阻伏安特性测试数据表(正常环境光照)工作电压2V4V6V8V10V12VU(V)I(mA)R光(Ω)光敏电阻伏安特性测试数据表(有光源照耀)工作电压2V4V6V8V10V12VU(V)I(mA)R光(Ω),依据图(8)接好试验线路,负载电阻R选定1K,光源用高亮度卤钨灯(试验者可细致调整光源限制旋钮,得到不同的光源亮度),==12V,每次在肯定的外加电压下测出光敏电阻在相对光照度从“弱光”到逐步增加的电流数据,即:,同时求出此时间敏电阻的阻值,即:。这里要求尽量多测试(不少于15个)在不同照度下的电流数据,尤其要在弱光位置选择较多的数据点,以使所得到的数据点能够绘出较为完整的光照特性曲线。光敏电阻光照特性测试数据表(电压:)照度UR(伏)光电流光敏电阻光照特性测试数据表(电压:)照度UR(伏)光电流光敏电阻光照特性测试数据表(电压:)照度UR(伏)光电流依据以上试验数据画出光敏电阻的一组光照特性曲线。,不同的半导体材料制成的光敏电阻有着不同的光谱特性,见图(5),当不同波长的入射光照到光敏电阻的光敏面上,光敏电阻就有不同的灵敏度。照图(8)接线,其工作电源可选用直流稳压电源的负电源,用高亮度LED(红、黄、绿、蓝、白)作为光源,发光电源可选用直流稳压电源的正电源。发光管的接线可参照图(7)。限流电阻用选配单元上的1K~100K档电位器,首先应置电位器阻值为最大,开启电源后缓慢调小阻值,使发光管逐步发光并至最亮,当发光管达到最高亮度时不应再变更限流电阻阻值,依次将各发光管接入光电器件模板上的发光管插座。发光管与光敏电阻顶端可用附件中的黑色软管连接(透镜对透镜),分别测出光敏电阻在各种光源照耀下的光电流,再用固体激光器作为光源,测得光电流,将测得的数据记入下表,据此作出两种光电阻大致的光谱特性曲线:,光敏电阻与其他半导体器件一样,,灵敏度下降。请按图(8)测试电路,分别测出常温下和加温(可用电烙铁靠近加温或用电吹风加温,电烙铁切不行干脆接触器件)后的伏安特性曲线。:,PMAX=,请勿用手触摸,以免烫伤。,查看颜色及亮度均可从其顶端透镜前视察。用做光源时也应将透镜发光点对准光敏器件。

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