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程,依次绘制Active图层、NSelect图层、Ploy图层、ActiveContact图层与Metal1图层,完成后的NMOS单元如图10中所示。其中,Active宽度为14个栅格,高为5个栅格;Ploy宽为2个栅格,高为9个栅格;NSelect宽为18个栅格,高为9个栅仅供学习交流最新三输入与门集成电路设计--第13页:..最新三输入与门集成电路设计--第14页格;两个的宽和高皆为2个栅格;两个Metal1的宽和高皆为4个栅格。,接下来就能开始进行与门版图的搭建和连线了。启动L-Edit程序,将文件另存为EX2,,设定坐标和栅格。引用nmos和pmos单元:执行Cell/Instance命令,打开SelectCelltoInstance对话框,选择nmos单元单击OK按钮,可以在编辑画面出现一个nmos单元;再选择pmos单元单击OK,在编辑画面多出一个与nmos重叠的pmos单元,可以用Alt键加鼠标拖曳的方法分开pmos和nmos,如图11中所示。图11元件引用仅供学习交流最新三输入与门集成电路设计--第14页:..最新三输入与门集成电路设计--第15页由于本次绘制与门电路需要用到个PMOS管和4个NMOS管,所以上步中的引用pmos和nmos单元分别需要进行四次,然后再进行元器件之间的电路连接。连接pmos和nmos的漏极:由于反相器pmos和nmos的漏极是相连的,可利用Metal1将nmos与pmos的右边扩散区有接触点处相连接,绘制出Metal1宽为4个栅格、高为11个栅格,进行电气检查,没有错误,如图12中所示。图12版图DRC检查按照电路原理图一步一步将所有的线路都连接好,然后再标出Vdd、GND节点以及输入输出端口A、B、C、F等节点。例如标注Vdd和GND节点的方法是单击插入节点图标,再到绘图窗口中用鼠标左键拖曳出一个与上方电源线重叠的宽为39栅格、高为5个栅格的方格后,将自动出现EditObject(s)对话框,在“On”框的下拉列表中选择Metal1,如图13中所示。在Portname栏仅供学习交流最新三输入与门集成电路设计--第15页:..最新三输入与门集成电路设计--第16页如有侵权请联系网站删除,仅供学习交流内键入Vdd,在TextAlignment选项中选择文字相对于框的位置的右边。然后单击“确定”按钮。用同样的方式标出GND、A、B、C以及F。图13输入输出节点设置放好上面的所有节点标号之后最整个三输入与门电路的版图就算做好了,接下来再进行单元名称的修改。执行Cell/RenameCell命令,打开RenameCellCell0对话窗口,将cell名修改为yumen。最后画好的完整版图如下图14中所示。图14三输入与门电路版图仅供学习交流最新三输入与门集成电路设计--第16页:..最新三输入与门集成电路设计--第17页如有侵权请联系网站删除,仅供学习交流对版图进行界面观察,结果如图15所示。图15版图界面观察版图整体绘制完成后进行版图的仿真,具体参数设置如图16、17所示。图16参数设置仅供学习交流最新三输入与门集成电路设计--第17页:..最新三输入与门集成电路设计--第18页如有侵权请联系网站删除,仅供学习交流图17参数设置版图仿真结果如图18所示。图18版图仿真结果七、LVS比对原理图与版图的仿真结束后进行LVS匹配度的检查,生成的网表文件结果如图19、20所示,匹配结果如图21所示。仅供学习交流最新三输入与门集成电路设计--第18页:..最新三输入与门集成电路设计--第19页如有侵权请联系网站删除,仅供学习交流图19原理图生成的网表文件图20版图生成的网表文件图21LVS匹配结果八、心得体会此次课程设计在老师的悉心指导,同学们的热情帮助下,我已圆满完成了本次课程设计的要求。从课题选择到具体构思和内容以及数据的测试,我仅供学习交流最新三输入与门集成电路设计--第19页:..最新三输入与门集成电路设计--第20页如有侵权请联系网站删除,仅供学习交流深刻体会到做事情不能急躁,从电路原理图的绘制到仿真,再到版图的制作,每一步都要要细心仔细的去完成。在这周时间所经历的学习和生活,我深刻感受到老师的精心指导和无私的关怀,让我受益匪浅。本次课程设计的名称为“三输入与门电路设计”,经过此次课设使我对Tanner软件的使用都有了更深刻的了解,这将对我以后的学习和工作带来莫大的帮助。参考文献[1]孙肖子,CMOS集成电路设计基础(第二版)[M].北京:高等教育出版社,2008.[2]廖裕评,TannerPro集成电路设计与布局实战指导[M].科学出版社,--第20页