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场效应管（FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
FET：Field Effect Transistor
场效应管
分类
从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。
从场效应管的结构来划分，它有结型和绝缘栅型两种不同的结构。
结型场效应管：JFET
绝缘栅型场效应管：IGFET
结型场效应管(JFET)
结型场效应管的结构和符号
结型场效应管(JFET)
N沟道结型场效应管的结构示意图
结型场效应管(JFET)
一、工作原理
为使N沟道结型场效应管能正常工作，应在其栅－源之间加负向电压（即uGS<0），以保证耗尽层承受反向电压；在漏－源之间加正向电压uDS，以形成漏极电流iD。
结型场效应管(JFET)
01
当uDS＝0V时，uGS对导电沟道的控制作用
添加标题
02
夹断电压
添加标题
结型场效应管(JFET)
当uGS为UGS（off）~0V中某一固定值时，uDS对漏极电流iD的影响
结型场效应管(JFET)
二、结型场效应管的特性曲线
漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲线
绝缘栅型场效应管
绝缘栅型场效应管(MOSFET)分为：
增强型 → N沟道、P沟道
耗尽型 → N沟道、P沟道
MOS: Metal-Oxide-Semiconductor
绝缘栅型场效应管
01
添加标题
N沟道增强型MOS管
02
添加标题
N沟道增强型MOS管结构示意图