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工艺及器件仿真工具
SILIVACO-TCAD
哈尔滨工程大学微电子实验室
WORK
ATLAS 电学特性
在这一部分，将对一个NMOSFET器件结构进行器件仿真。
以下将会演示到：
=：Ids vs. Vgs
，例如Vt，Beta和Theta
vs. Vds 曲线簇
ATLAS 电学特性
输入：Go altas
ATLAS 电学特性
MESH <prev>|<new> [<output>]
mesh inf=
语法：
对于简单的MOS仿真，推荐使用CVT和SRH。
1
SRH是Shockley Read Hall复合模型，而CVT模型是来自于Lombardia的反型层模型。
2
CVT模型设置了通用的迁移率模型，包括了浓度、温度、平行电场和横向电场的影响。
3
设置模型：
ATLAS 电学特性
ATLAS 电学特性
设置模型： contact
ATLAS 电学特性
设置模型： contact
Workfunction Parameters
Boundary Conditions
Contact Parasitics
Electrode Linking Parameters
进一步详细的关于这些模型的信息，可以参看文档：
ATLAS User’s Manual Volume I
CONTACT NUMBER=<n>|NAME=<ename>|ALL [<wfp>] [<bc>] [<lcr>] [<link>]
ATLAS 电学特性
ATLAS User’s Manual Volume I
进一步详细的关于这些模型的信息，可以参看文档：
01
INTERFACE [<params>]
Boundary Condition Parameters
Position Parameters
设置模型： interface
02
对于半导体器件问题，有几种不同的方法可以使用。对于MOS结构来说，可以使用非耦合的GUMMEL法和耦合的NEWTON法。简单地说，gummel法将对每个未知量轮流求解，同时保持其他变量不变，不断重复这个过程，直到得到稳定的解。而Newton法将会对整个系统的所有未知量一起求解。
输入： method newton
数值计算方法命令集：
ATLAS 电学特性
ATLAS 电学特性
求解命令集：
在这个命令接中，将包括：
1.“Log”命令，用来存储log文件，这个文件包括了ATLAS所计算的所用的终端特性。
2.“Solve”命令，不同偏置条件下的求解。
3.“Load”命令，载入求解的文件。
Ids vs. Vgs