文档介绍:该【《半导体光电子学课件》2.1半导体中量子跃迁的特点 】是由【88jmni97】上传分享,文档一共【4】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【《半导体光电子学课件》2.1半导体中量子跃迁的特点 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。第一节 半导体中量子跃迁的特点
01
半导体中与光有关的量子(电子或空穴)跃迁主要发生在导带与价带之间。
02
受激吸收
03
受激吸收之后出现电子-空穴对
04
光电导、光探测器原理。
半导体发光二极管(LED)工作原理。
半导体激光器(LD) 工作原理。
受激发射
半导体中量子跃迁特点:
电子态密度高(N~10²³㎝ˉ³)
1
量子跃迁速率大 增益系数大
量子效率高,响应速度快
2
(碰撞能量交换时间短)
能量转换效率高
3
可将载流子直接注入有源区
4
气体~20%,固体~5%,半导体~60-70%,量子点~100%。
由于不纯和相互作用,选者定则不严格
5
→谱线宽
6