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1、阻挡层与反阻挡层的形成
2、肖特基势垒的定量特性
3、欧姆接触的特性
§ 金属-半导体接触和能带图 1、功函数Wm 、Ws与电子亲和势
Ec
Ev
Wm
Ws
EFm
EFs
E0
En
2、接触电势差
接触前： 接触后：
qVD
EF
EF
Ev
Ec
xD
Ws
Wm
EFm
E0
Ec
EFs
Ev
接触势垒 Wm-Ws=-q（Vms+Vs）
≌- qVms
导带底电子向金属运动时必须越过的势垒的高度： qVD=Wm-Ws （1）
金属一边的电子运动到半导体一边也需要越过的势垒高度：
qVD
Ec
EF
Ev
（a） Wm>Ws 电子阻挡层:
（1）金属-n型半导体接触
3、阻挡层与反阻挡层
金属一边的势垒 半导体一边的势垒
（b） Wm<Ws 电子反阻挡层:
Ws
Wm
Ev
Ec
E0
EFm
EFs
（1）Ws>Wm 空穴阻挡层:
EFm
EFs
Ws
Wm
Ev
Ec
E0
（2）金属-p型半导体接触
接触后：
qVD=Ws-Wm
xD
EF
Ev
Ec