文档介绍：该【电子科大《集成电路工艺》第十三章 】是由【胜利的喜悦】上传分享，文档一共【65】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【电子科大《集成电路工艺》第十三章 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。第十三章 光刻-气相成底膜到软烘
微固学院 张金平
******@
1
电子科大《集成电路工艺》第十三章
引 言
本章主要内容：
光刻工艺的制造流程
光刻胶的性质及分类
软烘步骤
本章知识要点：
掌握光刻的基本概念；
掌握光刻胶的特性；
掌握光刻工艺的基本流程；
了解软烘工艺的意义。
2
电子科大《集成电路工艺》第十三章
亚微米CMOS IC 制造厂典型的硅片流程模型
测试/拣选t
注入
扩散
刻蚀
抛光
光刻
完成的硅片
无图形的硅片
硅片起始
薄膜
硅片制造前端
引 言
3
电子科大《集成电路工艺》第十三章
引 言
4
电子科大《集成电路工艺》第十三章
SiO2
淀积+光刻胶
曝光
显影
刻蚀
去除光刻胶
光刻简单过程
引 言
5
电子科大《集成电路工艺》第十三章
光刻技术的特点
1、光刻是将电路/器件图形转移到半导体的表面形成光刻胶图形；
2、光刻是复印图象和化学作用相结合的综合性技术；
3、器件的尺寸越小，集成电路的集成度越高，对光刻精度的要求就越高，难度就越大。
4、光刻与芯片的价格和性能密切相关。光刻成本占芯片制造成本的近1/3。
5 、光刻系统主要由对准、曝光、光刻胶和光源组成。
引 言
6
电子科大《集成电路工艺》第十三章
图形工艺
掩膜版
投影掩膜版
关键尺寸
分辨率
套准精度
光刻的概念
7
电子科大《集成电路工艺》第十三章
4:1 投影掩膜版
1:1 掩膜版
投影掩膜版：图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个。
掩膜版：包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。
光刻的概念
8
电子科大《集成电路工艺》第十三章
光刻胶的三维图形
线宽
间距
Thickness
Substrate
光刻胶
光刻的概念
对光刻的基本要求
高分辨率：高灵敏度；低缺陷；精密的套刻对准。
关键尺寸（CD）：最小的特征尺寸。CD常用作描述工艺技术节点或称某一代。
9
电子科大《集成电路工艺》第十三章
分辨率：区分Si片上两个邻近图形的能力。
高的分辨率需要将曝光波长减小到与CD几乎一样大小。
光刻的概念
10