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晶体硅太阳电池制绒工艺
讲解：林禹
汇报时间：12月20日
Annual Work
Summary Report
#2022
南安市三晶阳光电力有限公司
目 录
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什么是制绒
制绒是将硅表面进行预清洗并用强碱或强酸腐蚀成类似金字塔状或蜂窝状结构的过程
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制绒的作用
去除损伤层
形成减反射绒面（陷光结构）
制绒的目的
利用陷光原理，增加光的吸收，提高短路电流Isc
增加PN结的面积
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单晶
碱制绒，利用单晶片各向异性的腐蚀特性由强碱对硅片表面进行一系列的腐蚀。我司现在也在使用碱制绒，当然也有某些公司用酸制绒做单晶。
主要化学药品为：氢氧化钠或氢氧化钾、异丙醇或乙醇、硅酸钠或绒面添加剂
多晶
酸制绒，利用强腐蚀性酸混合液的各向同性的腐蚀特性对硅片表面进行腐蚀。
主要化学药品为：硝酸、氢氟酸
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单晶
装片
去损伤
制绒
漂洗
溢流漂洗
HCl清洗
溢流漂洗
HF清洗
两次溢流漂洗
烘干
出片
预脱水
温水漂洗
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多晶
纯水清洗
HF+HCl清洗
NaOH清洗
上片
01
纯水清洗
制绒
02
吹干
纯水清洗
03
下片
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单晶
化学原理
利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成金字塔结构密布的表面形貌，就称为表面织构化。金字塔的四面全是由〈111〉面包围形成。
陷光原理
当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。
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总反应化学方程式：
Si + 2NaOH + H2O → Na2SiO3 + 2H2↑
副反应化学方程式：
Na2SiO3 + H2O → H2SiO3 + OH-
Na2SiO3 → (Na2O)x·(SiO2)y
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多晶
硅被HNO3氧化，反应为：
用HF去除SiO2层，反应为：
总化学反应方程式为：