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存储器分类
存储器构造
8086CPU最小模式下总线产生
存储器接口
存储器分类
一、有关存储器几种分类
存储介质分类
半导体存储器
磁盘和磁带等磁表面存储器
光电存储器
半导体存储器按存取方式分类
随机存储器RAM (Random Access Memory)
只读存储器ROM（Read-Only Memory）
串行访问存储器(Serial Access Storage)
按在计算机中的作用分类
主存储器(内存)
辅助存储器(外存)
高速缓冲存储器
二、半导体存储器的分类
1、随机存取存储器RAM
2、只读存储器ROM
二、半导体存储器的分类
1、随机存取存储器RAM
a. 静态RAM （ECL，TTL，MOS）
b. 动态RAM
2、只读存储器ROM
a. 掩膜式ROM
b. 可编程的PROM
c. 可用紫外线擦除、可编程的EPROM
d. 可用电擦除、可编程的E2PROM等
可编程的PROM
绝缘层
浮动栅雪崩注入式MOS管
可用紫外线擦除、可编程的EPROM
编程
使栅极带电
擦除
EPROM芯片上方有一种石英玻璃窗口
当一定光强的紫外线透过窗口照射时，所有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄放掉，使浮栅恢复初态。
一般照射20～30分钟后，读出各单元的内容均为FFH，阐明EPROM中内容已被擦除。
浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(Floating gate Tunnel Oxide)：浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳米如下），称为隧道区。当隧道区电场不小于107V/cm时隧道区双向导通。
当隧道区的等效电容极小时，加在控制栅和漏极间的电压大部分降在隧道区，有助于隧道区导通。
擦除和写入均运用隧道效应
10ms
可用电擦除、可编程的E2PROM