晶体管和场效应管工作原理详解公开课获奖课件赛课一等奖课件.ppt

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双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，因此又称为半导体三极管、晶体三极管等，后来我们统称为晶体管BJT (Bipolar Junction Transistor) 。
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
NPN型
P
N
P
集电极
B基极
发射极
B
C
E
PNP型
晶体管的构造和类型
B
E
C
IB
IE
IC
NPN型三极管
B
E
C
IB
IE
IC
PNP型三极管
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
基区：较薄，掺杂浓度低
集电区：面积较大
发射区：掺
杂浓度较高
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
发射结Je
集电结Jc
B
E
C
N
N
P
VBB
RB
VCC
晶体管的电流放大作用
电流放大条件：
内部条件：发射区掺杂浓度高；基区薄；集电区面积大 。
外部条件：发射结正偏；集电结反偏。
NPN: VC>VB>VE
PNP: VC<VB<VE
B
E
C
N
N
P
VBB
RB
VCC
IE
基区空穴向发射区的扩散可忽略IEP 。
IBE
发射结正偏，发射区电子不停向基区扩散，形成发射极电流IEN。
一、晶体管内部载流子的运动
进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。
B
E
C
N
N
P
VBB
RB
VCC
IE
集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。
ICBO
IC=ICE+ICBOICE
IBE
ICE
从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被搜集，形成ICN。
IB=IBN+IEP-ICBOIBN
IB
B
E
C
N
N
P
VBB
RB
VCC
IE
ICBO
ICN
IC=ICN+ICBO ICN
IBN
图 晶体管内部载流子运动与外部电流