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俞 健
Question
，而在电介质中并不会出现？
，而长波重要在硅片内吸取？
，短流会提高，串阻也会提高？
半导体的吸取系数
波动性→SiNx减反膜，运用光的干涉相消原理；
粒子性→光的吸取，产生能量的转移；
太阳光的性质
？
太阳光具有波粒二象性
半导体的吸取系数
光强度I随传播距离x的变化关系：
物理意义： 相称于光在媒质中传播距离 时，
能量减弱到本来能量的 ，即光在导电媒质中传播具有衰减现象
半导体的吸取系数
在电介质中，电磁波没有衰减的传播；而在导电介质中，如在半导体和金属内，波的振幅伴随透入的深入而减小，即存在光的吸取。这是由于，导电媒质内部有自由电子存在，波在传播过程中子在媒质在激起传导电流，光波的部分能量转换为电流的焦耳热。
First Question
半导体光的吸取
理想半导体在绝对零度时，价带完全被电子占满，因此价带内的电子不也许被激发到更高的能级，唯一也许是吸取足够能量的光子使电子激发，越过禁带跃迁入空的导带，而在价带中留下一种空穴，形成电子-空穴对。这种由于带与带之间的跃迁形成的吸取过程称为本征吸取。
本征吸取
半导体光的吸取
显然，要发生本征吸取，必须要满足：
是可以引起本征吸取的最低程度的光子能量。
在低频方面必然存在一种频率极限 （或者说在长波方面存在一种波长界线 ）。当频率低于 （或波长不小于 时，）不也许产生本征吸取，吸取系数迅速下降。
本征吸取限
半导体光的吸取
微米（um）
对于硅而言，Eg=，
半导体光的吸取
内量子效率： EQE=（1-R）*IQE
布尔斯坦移动：重掺向短波段移动
弗朗兹-克尔德什效应：强电场作用下的光子诱导的遂穿，向长波限移动
半导体光的吸取
硅和锗是间接带隙半导体。伴随光子能量的增长，吸取系数首先上升到一段较平缓的区域，这对应于间接跃迁；向更短波方向，伴随hv的增长，吸取系数再一次陡增，发生强烈的光吸取，表达直接跃迁的开始。