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MOS二极管
MOSFET基本原理
MOSFET按比例缩小
CMOS与双极型CMOS
绝缘层上MOSFET
MOS存储器构造
有关主题
MOS二极管的VT与反型条件
MOSFET基本特性
按比例缩小理论与短沟道效应的关系
低功耗CMOS逻辑
MOS存储器构造
基本FET构造
MOS二极管
MOS二极管是MOSFET器件的枢纽；在IC中，亦作为一储存电容器；CCD器件的基本构成部分。
理想MOS二极管
理想P型半导体MOS二极管的能带图：
功函数（金属的Φm和半导体的Φs ）
电子亲和力
理想MOS二极管定义：
零偏压时，功函数差Φms为零；
任意偏压下，二极管中的电荷仅位于半导体之中，且与邻近氧化层的金属表面电荷量大小相等，极性相反；
直流偏压下，无载流子通过氧化层。
MOS二极管中三个分离系统的能带图
半导体表面三种状态
随金属与半导体所加的电压VG而变化，半导体表面出现三种状态：基本上可归纳为堆积、耗尽和反型三种状况。
以P型为例，当一负电压施加于金属上，在氧化层与半导体的界面处产生空穴堆积，——积累现象。
外加一小量正电压，靠近半导体表面的能带将向下弯曲，使多数载流子（空穴）形成耗尽——耗尽现象。
外加一更大正电压，能带向下弯曲更严重，使表面的Ei越过EF,当电子浓度远不小于空穴浓度时——反型现象。
三种状态
由p型半导体构成的MOS构造在多种VG下的表面势和空间电荷分布：
表面电势ψs：
ψs<0 空穴积累；
ψs=0 平带状况；
ψB>ψs>0 空穴耗尽；
ψs = ψB 禁带中心，ns=np=ni；
ψs >ψB 反型（ ψs> 2ψB 时，强反型）；
强反型时，表面耗尽区的宽度达到最大值：
Qs=Qn+Qsc=Qn-qNAWm