1 / 72
文档名称:

第七章 半导体器件.ppt

格式:ppt   页数:72页
下载后只包含 1 个 PPT 格式的文档,没有任何的图纸或源代码,查看文件列表

如果您已付费下载过本站文档,您可以点这里二次下载

分享

预览

第七章 半导体器件.ppt

上传人:中国课件站 2011/8/27 文件大小:0 KB

下载得到文件列表

第七章 半导体器件.ppt

文档介绍

文档介绍:第七章半导体器件基础
PN结
PN结的制备方法
突变结和缓变结
PN结
PN结的制备方法
合金法
扩散法
生长法
离子注入法
合金法
n型 Si
Al块
Al液体
铝硅合金结
P型硅
n型 Si
n型 Si
扩散法
N型硅
氧化
SiO2
光刻
扩散
P型硅
N型硅
N型硅
生长法
离子注入法
突变结
N型区中施主杂质浓度为ND,均匀分布
P型区中受主杂质浓度为NA,也是均匀分布
在交界面,杂质浓度由NA突变为ND
具有这种杂质浓度分布的PN结称为突变结
突变结
Nx
NA
ND
xj
x
缓变结
缓变结中,杂质浓度从p区到n区是逐渐变化的
Nx
NA
ND
xj
x