文档介绍：

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2007年10月4日星期四
4 场效应管
BJT是一种电流控制元件(iB~ iC),工作时,多数载流
子和少数载流子都参与运行,所以被称为双极型器件。
场效应管(Field Effect Transistor简称FET)是一
种电压控制器件(uGS~ iD) ,工作时,只有一种载流子
参与导电,因此它是单极型器件。
FET因其制造工艺简单,功耗小,温度特性好,输
入电阻极高等优点,得到了广泛应用。
N沟道
结型场效应管
P沟道
沟道
FET分类: 增强型 N
P沟道
绝缘栅场效应管
耗尽型 N沟道
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2007年10月4日星期四 P沟道
JFET
结构与符号
工作原理与特性曲线
主要参数
JFET的模型
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一、结构与符号
JFET分为:
N沟道
P沟道
箭头:PÂN
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二、工作原理与特性曲线 N沟道
¾ 工作原理

0V
宽
VGS=VP(夹断电压)
- 窄
PN结反偏
0
电位梯度
楔形沟道

预夹断
+ 5
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P沟道JFET
VDS很小,VGS<VP VDS很小
PN结处于反偏, VGS>=VP
耗尽区将因加栅压而被展宽沟道被夹断
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2007年10月4日星期四
P沟道JFET
VGS<VP VGS<VP
VGD=VP VGD>VP
上端沟道临界夹断上端沟道被夹断
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2007年10月4日星期四
P沟道JFET
VGS>VP
截止区
VGD>VP, VDS<VGS-VP
(VGD=VGS+VSD=VGS-VDS)
VGS<VP
可变电阻区
VGD<VP, VDS>VGS-VP
夹断区 VGS<VP
恒流区 VGD>VP, VDS<VGS-VP
VGS<VP
临界区
VGD=VP, VDS=VGS-VP
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N沟道JFET
VGS<VP
截止区
VGD<VP, VDS>VGS-VP
(VGD=VGS+VSD=VGS-VDS)
VGS>VP
可变电阻区
VDS<VGS-VP
夹断区 VGS>VP
恒流区 VDS>VGS-VP
VGS>VP
临界区
VDS=VGS-VP
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¾ 特性曲线 N沟道
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ID= IDSS[1-(VGS /VP)]
(a) 漏极输出特性曲线(b) 转移特性曲线
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