文档介绍：发光及光控器件
一、发光器件
二、光控器件
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一、发光器件一、
发光器件主要是指电光变换器件
受激吸吸收受激吸吸收
自发辐射
受激辐射
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一、发光器件一、
光源的分类光源的分类::
相干光源:在时间、空间上相位同步的光波形成。
非相干光源:来源于原子或分子体系的自发辐射。
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一、发光器件一、
非相干光源包包括非相干光源包包括::
①照明光源
气体放电灯、荧光灯;白炽灯;本征场
致发光灯(固体灯)。
②显示光源
着重显示图像的清晰度、对比度、色彩
饱和和度来区分,如液晶显示器、阴极射线管(
CRT) 、发光二极管(LED )。
③信息处理光源
着重光的单色性和和高速脉冲性,如高速
高亮度的发光二极管、分光分度计光源。
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一、发光器件一、
相干光源包包括相干光源包包括::
①激光
气体激光器、固体激光器、染料激光器、半导
体激光器、等离子激光器。
②非线性光学器件
主要是激光与非线性光学材料相互作用而产生
的各种新的相干光源,如光参量振荡器、高次
谐波激光器、和和频与差频发生器、受激拉曼散
射。
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一、发光器件一、- 半导体发光管
发光二极管的发光原理
当给PN结加以正向电压时,沟区导带中的电
子则可逃过PN结的势垒进入到P区一侧。于是
在PN结附近稍偏于P区一边的地方,处于高能
态的电子与空穴相遇时,便产生复合发光。这
种复合所发出的光属于自发辐射,辐射光的波
长决定于材料的禁带宽度Eg,即
λ=·eV/Eg
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一、发光器件一、-半导体发光管
制制作材料
((1111)))直接带直接带((直接跃迁直接跃迁))材料材料::GaAsGaAsGaAs、、
GaNGaN、、、ZnSeZnSeZnSe等等等。。
((2222)))间接带间接带((间接跃迁间接跃迁))材料材料::GaPGaP
((3333)))混晶混晶::GaAsGaAs 111-1---xxxPPPxxx
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一、发光器件一、-半导体发光管主要特性
(1)伏安特性
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一、发光器件一、-半导体发光管主要特性
(2)发光亮度与电流的关系
光
强
GaP(绿色)
GaP(红色)
Ga 1-xAl xAs
电流强度
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一、发光器件一、-半导体发光管
(3)发光光谱发光光谱
GaAs P
发光二极管的峰值波长是
由材料的禁带宽度决定的。
相
对当GaAs 1-xPx
强
度的x值不同时,峰值波长
GaP 在620 ~680nm 之间变化化,
谱线半宽度大约为20 ~
30nm ,GaP 发红光的峰
值波长在700nm 附近,
半宽度大约为100nm 。
波长
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