文档介绍：§ 半导体三极管
基本结构
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
NPN型
P
N
P
集电极
基极
发射极
B
C
E
PNP型
B
E
C
NPN型三极管
B
E
C
PNP型三极管
三极管符号
N
P
N
C
B
E
P
N
P
C
B
E
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
基区:较薄,掺杂浓度低
集电区:面积较大
发射区:掺
杂浓度较高
发射结
集电结
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
+ + + + + + + + + + + + +
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
+ + + + + + + + + + + + +
电流放大原理
B
E
C
N
N
P
EB
RB
Ec
发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。
IE
1
进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IB ,多数扩散到集电结。
IB
B
E
C
N
N
P
EB
RB
Ec
IE
从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集,形成IC。
IC
2
IC
IB
要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。
静态电流放大倍数
静态电流放大倍数,动态电流放大倍数
= IC / IB
IC = IB
动态电流放大倍数
IB : IB + IB
IC : IC + IC
=  IC /  IB
一般认为: = = ,近似为一常数
值范围:20~100
 IC =  IB
特性曲线
IC
mA
A
V
V
UCE
UBE
RB
IB
USC
USB
实验线路(共发射极接法)
C
B
E
RC
IB 与UBE的关系曲线(同二极管)
(1)输入特性
IB(A)
UBE(V)
20
40
60
80

UCE1V
死区电压,
工作压降: 硅管UBE 
(2)输出特性(IC与UCE的关系曲线)
IC(mA )
1
2
3
4
UCE(V)
3
6
9
12
40A
60A
Q
Q’
= IC / IB =2 mA/ 40A=50
=  IC /  IB
=(3-2)mA/(60-40) A=50
= IC / IB =3 mA/ 60A=50