文档介绍：半导体三极管的参数
半导体三极管的参数分为三大类:
直流参数
交流参数
极限参数
(1)直流参数
①直流电流放大系数

=(IC-ICEO)/IB≈IC / IB  vCE=const
在放大区基本不变。在共发射极输出特性
曲线上,通过垂直于X轴的直线(vCE=const)来求
取IC / IB ,。在IC较小时和IC较大
时, 会有所减小,。
值与IC的关系
图在输出特性曲线上决定

=(IC-ICBO)/IE≈IC/IE

显然与之间有如下关系:
= IC/IE= IB/1+ IB= /1+ 
②极间反向电流

ICBO的下标CB代表集电极和基极,O是
Open的字头,代表第三个电极E开路。它相当于
集电结的反向饱和电流。

ICEO和ICBO有如下关系
ICEO=(1+ )ICBO
相当基极开路时,集电极和发射极间的反向
饱和电流,即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应
的Y坐标的数值。。
ICEO在输出特性曲线上的位置
(2)交流参数
①交流电流放大系数

=IC/IBvCE=const
在放大区值基本不变,可在共射接法输出
特性曲线上,通过垂
直于X 轴的直线求取
IC/IB。或在图02.
08上通过求某一点的
斜率得到。具体方
。
在输出特性曲线上求β

α=IC/IE VCB=const
当ICBO和ICEO很小时,≈、≈,可以不加区分。
②特征频率fT
三极管的值不仅与工作电流有关,而且与
工作频率有关。由于结电容的影响,当信号频率增加时,三极管的将会下降。当下降到1时所对应的频率称为特征频率,用fT表示。
(3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM
,当集电极电流增加时,就
要下降,当值下降到线性放大区值的70~30%
时,所对应的集电极电流称为集电极最大允许电
流ICM。至于值下降多少,不同型号的三极管,
不同的厂家的规定有
所差别。可见,当
IC>ICM时,并不表
示三极管会损坏。

值与IC的关系
②集电极最大允许功率损耗PCM
集电极电流通过集电结时所产生的功耗,
PCM= ICVCB≈ICVCE,
因发射结正偏,呈低阻,所以功耗主要集中
在集电结上。在计算时往往用VCE取代VCB。
③反向击穿电压
反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电
压的能力,。

三极管击穿电压的测试电路