半导体物理基础(5).ppt

文档介绍：非平衡载流子的扩散(Diffusion)运动
(1)扩散运动与扩散电流(diffusion current)
考察p型半导体的非少子扩散运动
沿x方向的浓度梯度
电子的扩散流密度
(单位时间通过单位截面积的空穴数)
Dn---电子扩散系数( electron diffusion coefficients)
---单位时间在小体积Δx·1中积累的电子数
扩散定律
----在x附近,单位时间、单位体积中积累的电子数
稳态时,积累=损失
稳态扩散方程
三维
球坐标
若样品足够厚
若样品厚为W(W ∞)
并设非平衡少子被全部引出
则边界条件为:
∆n(W)=0
∆n(0)= (∆ n)0
得
当W<<Ln时,
相应的 Sn=常数
空穴的扩散电流密度
电子的扩散电流密度
扩散电流密度