文档介绍：晶体管及其小信号放大
-场效应管放大电路
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场效应晶体管(FET)
电压控制器件
多子导电
输入阻抗高,噪声低,热稳定好,抗辐射,工艺简单,便于集成,…应用广泛
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§4 场效应晶体管及场效应管放大电路
§ 场效应晶体管(FET)
N沟道
P沟道
增强型
耗尽型
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
(耗尽型)
FET
场效应管
JFET
结型
IGFET
绝缘栅型
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一、结构
§ 结型场效应管
栅极
漏极
源极
N沟道
利用PN结反向电压对耗尽层宽度的控制来
改变导电沟道的宽度,从而控制通过的电流
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UGS
二、工作原理(以N沟道为例)
正常工作: UGS<=0, UDS>0V
PN结反偏,|UGS|越大则耗尽层越宽,导电沟道越窄,电阻越大。
ID
初始就有沟道,
是耗尽型。
ID受UGS 和UDS的控制
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UGS
UDS>0但较小:
ID
ID随UDS的增加而线性上升。(UGS固定)
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N
G
S
D
UGS
P
P
UGS负到一定值时,耗尽区碰到一起,DS间被夹断,这时,即使UDS 0V,漏极电流ID=0A。
ID
夹断电压
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UGS> ,但UDS增加到 UGS - ,即
UGD= UGS – UDS =
靠近漏极的沟道夹断.
预夹断
UDS增大则被夹断区向下延伸。此时,电流ID由未被夹断区域中的载流子形成,基本不随UDS的增加而增加,呈恒流特性。 ID= IDSS
ID
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三、特性曲线和电流方程
2. 转移特性
1. 输出特性
夹断区
(饱和区)
UGD=
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结型场效应管的缺点:
1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上,但在某些场合仍嫌不够高。
3. 栅源极间的PN结加正向电压时,将出现较大的栅极电流。
绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。
2. 在高温下,PN结的反向电流增大,栅源极间的电阻会显著下降。
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