文档介绍：第三章半导体三极管及放大电路基础
半导体三极管(BJT—双结晶体管)
共射极放大电路
图解分析法
三极管的低频小信号模型分析法
放大电路的稳定工作点问题
共集电极电路
放大电路的频率特性
第三章半导体三极管及放大电路基础
半导体三极管(BJT—双结晶体管)
频率:
高频管、低频管
功率:
材料:
小、中、大功率管
硅管、锗管
类型:
NPN型、PNP型
半导体三极管: 是具有电流放大功能的元件
分类:
基本结构
N
N
P
基极
发射极
集电极
NPN型
B
E
C
B
E
C
PNP型
P
P
N
基极
发射极
集电极
符号:
B
E
C
IB
IE
IC
B
E
C
IB
IE
IC
NPN型三极管
PNP型三极管
基区:最薄,
掺杂浓度最低
发射区:掺
杂浓度最高
发射结
集电结
B
E
C
N
N
P
基极
发射极
集电极
结构特点:
集电区:
面积最大
三极管的基本接法
共集电极接法:
集电极作为公共端;
共基极接法:
基极作为公共端。
共发射极接法:
发射极作为公共端;
BJT的电流分配和放大原理
1. 三极管放大的外部条件
B
E
C
N
N
P
EB
RB
EC
RC
发射结正偏、集电结反偏
PNP
发射结正偏 VB<VE
集电结反偏 VC<VB
从电位的角度看:
NPN
发射结正偏 VB>VE
集电结反偏 VC>VB
2. 三极管内部载流子的运动规律
B
E
C
N
N
P
VEE
RB
VCC
IE
IBE
ICE
ICBO
发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。
进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE ,多数扩散到集电结。
基区空穴向发射区的扩散可忽略。
集电结反偏,有少子形成的反向电流ICBO。
从基区扩散来的电子作为集电结的少子,漂移进入集电结而被收集,形成ICE。
JC
JE
B
E
C
N
N
P
VEE
RB
VCC
IE
IBE
ICE
ICBO
JC
JE
IC
IB
2. 三极管的电流分配关系
IC=ICE+ ICBO
IB=IBE- ICBO
IE=IC+ IB
得:
令:α=ICE / IE 共基极电流传输系数
β=IC E/ IBE共发射极电流放大系数
三极管的电流分配关系总结
IE=IC+ IB
共基极电流传输:
共发射极电流放大:
对于变化量
用交流参数
特性曲线
发射极是输入回路、输出回路的公共端
1. 共发射极电路
输入回路
输出回路
IC
EB
mA
A
V
UCE
UBE
RB
IB
EC
V
+
+
–
–
–
–
+
+